AO4415
30V P沟道MOSFET
概述
该AO4415采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
和超低低栅极
费。此装置适合于用作负载
开关或PWM应用。
产品概述
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -8 A （V
GS
= -20V)
R
DS （ ON）
< 26mΩ （V
GS
= -20V)
R
DS （ ON）
< 35mΩ （V
GS
= -10V)
100 ％ UIS测试
100 ％通过Rg测试
SOIC-8
顶视图
D
D
D
D
G
S
底部视图
D
G
S
S
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
B
T
A
=25°
C
功耗
A
最大
-30
±25
-8
-6.6
-40
3
2.1
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
T
A
=70°
C
P
D
T
J
, T
英镑
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
24
54
21
最大
40
75
30
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
