AOD4S60/AOI4S60/AOU4S60
600V 4A
α
MOS
TM
功率晶体管
典型的电气和热特性
1.0E+02
1.0E+01
1.0E+00
V
GS
（伏）
I
S
(A)
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
（伏）
图7 ：体二极管的特性（注五）
0.2
25°C
9
125°C
15
12
V
DS
=480V
I
D
=2A
6
3
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
（ NC ）
图8 ：栅极电荷特性
10000
3.0
2.5
EOSS （ UJ ）
2.0
1.5
1.0
E
OSS
1000
电容（pF）
C
国际空间站
100
C
OSS
10
1
C
RSS
0
0
300
400
500
V
DS
（伏）
图9 ：电容特性
100
200
600
0.5
0.0
0
100
200
300
400
V
DS
（伏）
图10 ：科斯储存的能量
500
600
100
1000
800
功率（W）的
10s
100s
DC
1ms
10ms
200
0
1E-05
600
400
10
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
1
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
0.01
1
10
V
DS
（伏）
图11 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
100
1000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图12 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
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