AO4886
100V双N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=90°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
0.001
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图12 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
T
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