AON2407
30V P沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-15V
I
D
=-6.3A
8
电容（pF）
800
1000
C
国际空间站
-V
GS
（伏）
6
600
4
400
C
OSS
2
200
C
RSS
0
0
0
10
15
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
20
0
10
15
20
25
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
30
100.0
10s
R
DS （ ON）
有限
DC
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10s
100s
功率（W）的
200
160
120
80
40
0
0.01
0.1
1
-V
DS
（伏）
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10.0
-I
D
（安培）
1.0
1ms
10ms
100ms
1s
0.1
0.0
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=80°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
0.01
单脉冲
0.001
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
P
D
T
on
10
T
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
4/5
www.freescale.net.cn
