订购数量： ENA1185A
ECH8664R
三洋半导体
数据表
ECH8664R
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻
2.5V驱动
共漏型
在保护二极管
内置栅极保护电阻
最适合的LiB充电和放电开关
无卤合规
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
当安装在陶瓷基体（ 900毫米
×0.8mm)
1unit
当安装在陶瓷基体（ 900毫米
×0.8mm)
2
2
条件
评级
30
±12
7
60
1.3
1.4
150
-
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7011A-003
顶视图
0.25
2.9
0.15
8
5
0至0.02
2.8
2.3
产品&包装信息
包
： ECH8
JEITA ， JEDEC
:-
最小包装数量： 3000个/卷。
ECH8664R-TL-H
包装类型： TL
记号
TK
TL
LOT号
0.25
1
0.65
4
0.3
电气连接
8
7
6
5
1 ：源1
2 ： GATE1
3 ：源2
4 ： GATE2
5 ：排水
6 ：排水
7 ：漏
8 ：排水
底部视图
0.07
0.9
1
2
3
4
三洋： ECH8
http://semicon.sanyo.com/en/network
62712 TKIM / 72308PE TIIM TC- 00001451号A1185-1 / 7
