AO4406
N沟道增强型场
场效应晶体管
概述
该AO4406采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和
操作与栅极电压低至2.5V 。该器件是一个极好的高边开关的
笔记本CPU核DC - DC转换器。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 11.5A
R
DS （ ON）
< 14mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 16.5mΩ （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 26mΩ （V
GS
= 2.5V)
D
S
S
S
G
D
D
D
D
G
S
SOIC-8
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
A
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
B
B，E
B，E
最大
30
±12
11.5
9.6
80
25
78
3
2.1
-55到150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°C
V
GS
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
I
AV
L=0.1mH
E
AV
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
=25°C
重复性雪崩能量
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
A
最大结点到环境
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
23
48
12
最大
40
65
16
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/7
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