半导体
BUZ31
功率MOS晶体管
特征
N沟道
增强型
雪崩额定值
的TO-220信封
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
V
DS
I
DS
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
V
GS
R
DS （ ON）
P
T
t
J
t
英镑
评级
漏源电压
连续漏电流T
C
= 37°C
脉冲漏电流T
C
= 25°C
雪崩电流，通过电讯有限公司
JMAX
雪崩能量，被T周期性有限公司
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 14.5 A，V
DD
= 50 V ，R
GS
= 25
L = 1.42 mH的，T
j
= 25°C
栅源电压
漏源导通电阻
在案件温T功耗
C
= 25°C
工作温度
存储温度范围
价值
200
14.5
58
14.5
9
200
20
0.2
95
-55到+150
-55到+150
单位
V
A
mJ
V
W
°C
热特性
符号
R
thJC
R
thJA
评级
热电阻，片式案例
热电阻，芯片到环境
价值
<1.32
<75
单位
K / W
01/10/2012
半导体COMSET
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