BDV64-A-B-C
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
集电极截止
当前
测试条件（S ）
V
CE
= -30 V，I
B
= 0
V
CE
= -40 V，I
B
= 0
V
CE
= -50 V，I
B
= 0
V
CE
= -60 V，I
B
= 0
V
BE
= -5 V，I
C
= 0
V
CB
= -60 V
V
CB
= -80 V
V
CB
= -100 V
V
CB
= -120 V
V
CB
= -30 V
V
CB
= -40 V
V
CB
= -50 V
V
CB
= -60 V
BDV64
BDV64A
BDV64B
BDV64C
BDV64
BDV64A
BDV64B
BDV64C
BDV64
BDV64A
BDV64B
BDV64C
BDV64
BDV64A
BDV64B
BDV64C
BDV64
BDV64A
BDV64B
BDV64C
BDV64
BDV64A
BDV64B
BDV64C
BDV64
BDV64A
BDV64B
BDV64C
BDV64
BDV64A
BDV64B
BDV64C
民
典型值
最大
单位
I
首席执行官
-
-
-2
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
-
-
-5
mA
I
E
= 0
T
j
=25°C
I
CBO
集电极截止
当前
I
E
= 0
T
j
=150°C
-
-
-0.4
mA
-
-60
-80
-100
-120
1000
-
-
-
-
-
-
-2
-
-
-
-
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极
I = -30毫安，我
B
= 0
击穿电压（ * ）
C
h
FE
直流电流增益（ * ）
V
CE
= -4 V，I
C
= -5 A
-
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
饱和电压（ * ）
I
C
= -5 A，I
B
= -20毫安
-
-
-2
V
V
BE
基射
电压（*）
V
CE
= -4 V，I
C
= -5 A
-
-
-2,5
V
（ * ）脉冲宽度
≈
300
s,
占空比
∠
1.5 %
26/09/2012
半导体COMSET
3/4
