2n2322到2n2326
电气特性
(*)
T
J
= 25℃，除非另有说明，R
GK
=1000
符号
V
DRM
I
RRM
评级
峰值正向闭塞
闵：
电压（1）
峰值反向阻断
当前
（额定V
DRM ，
T
J
=125°C)
峰值正向闭塞
当前
（额定V
DRM ，
T
J
=125°C)
转发上电压
I
TM
= 1.0 A峰值
I
TM
= 3.14 A峰值
T
C
=85°C
门极触发电流（ 2 ）
阳极电压= 6.0伏
R
L
=100
阳极电压= 6.0伏
R
L
=100, T
C
=-65°C
门极触发电压
阳极电压= 6.0 V
R
L
=100
阳极电压= 6.0 V
R
L
=100, T
C
=-65°C
V
DRM
=额定
R
L
=100, T
J
=125°C
保持电流
阳极电压= 6.0 V
阳极电压= 6.0 V
T
C
=-65°C
阳极电压= 6.0 V
T
C
=125°C
2N2322 2N2323 2N2324 2N2325 2N2326单位
25
50
100
最高：100
150
200
V
A
A
I
DRM
最高：100
最大： 1.5
V
TM
V
最大： 2.0
最大： 200
A
最大： 350
I
GT
最大： 0.8
最大： 1.0
最小： 0.1
最大： 2.0
最大： 3.0
最小： 0.15
mA
V
V
GT
I
H
（ * ） JEDEC注册的价值观
(1) V
RSM
和V
DRM
可以适用于所有类型的连续的直流基础，而不会产生
损害。
(2) R
GK
当前不包含在测量。
12/11/2012
半导体COMSET
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