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LTM4641
应用信息-电源特点
表1.赞同
FSET
电阻值与输出电压
非跟踪应用，及由此产生的全负载开关
频率（参见图45 ，图46 ，图47 ，图51
电路）
V
OUT （ NOM ）
(V)
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.5
1.8
2.0
2.5
大于3.0
3.3
5.0
6.0
R
FSET
（ MΩ ） （最近
EIA-标准值）
0.787
0.825
0.887
0.931
1.00
1.13
1.43
2.00
2.55
5.76
∞ （未使用）
∞ （未使用）
∞ （未使用）
∞ （未使用）
f
SW
（千赫）
175
200
215
235
255
285
315
325
330
335
见图2
360
550
660
其中：
V
OUT
是额定输出电压，单位为伏特。
t
关（ MIN）的
是时间M的最小长度
BOT
可以
上，男后
顶部
关闭。对于保守DE-
签名，用一个值300ns的，从取电
特性表。
t
ON
是功率控制MOSFET的导通时间，
M
顶部
通过编程，通过的电流为
在我
ON
销LTM4641的内部控制IC的。
R
PS
是模块的电源的串联电阻
现阶段，从V
INH
到V
OUT
。对于V
IN
≥ 6V，这是较少
超过50mΩ的，即使在极端温度（T
J
≈
125 ℃）。对于V
IN
< 6V时，有效串联电阻
由于在INTV下降增加
CC
电压和cor-
响应降低栅极驱动的增强功能
M
顶部
。印刷电路板（PCB）和/或电缆
电阻存在于铜平面和/或电线
该物理模块的输出端连接到
负载增加至R
PS
的有效值。
I
OUT
是在V中的负载电流
OUT
在安培。
为以下形式的应用程序，如图45 ，图 - 所示
URE 46和图47 ：允许的最小V
INH
操作电压，以避免辍学的3V < V
OUT
≤ 6V示于图4中的曲线是的结果
意识到V
IN（降）
等于V
INH
（忽略
MSP电压降），当差实际发生，并
该方程1和2 ，产率为吨表达
ON
as
作为V的函数
INH
. M
顶部
将更少全面增强
在它的导通时间，如果DRV
CC
小于其标称
5.3V （例如中值，当V
INL
< 6V时
DRV
CC
偏压由INTV提供
CC
） 。 DRV
CC
的影响上
R
PS
在低线示于图4 。
III 。最大可达F
SW
。可达到的最高
开关操作的频率（以Hz为单位）为一
导通时间定（T
ON
，以秒为单位）的简单支配者：
f
最大
=
1
t
ON
+
t
关（ MIN）的
(8)
在轨道跟踪应用，建议使用
R
FSET
对应于所需要的最低电压值
输出电压时调节减速。为
例如：斜坡V
OUT
下降到0.5V需要
FSET
要
不大于750KΩ （标称值）按照图3以上。
它往往是允许使用较低
FSET
值比
在图3和表1中，例如如果所指出的，低
输出纹波电压和/或较低的输出电容
是需要的。但是，需要注意的三个指导原则：
一，最小导通时间。确保我
离子
< 93.3μA 。见方程
系统蒸发散1和4 。
II 。最小关断时间和差操作。该迷你
MUM关断时间，T
关（ MIN）的
，需要在最短的时间
为LTM4641来执行以下任务：转
它的功率同步MOSFET （M
BOT
） ，跳闸
控制回路的电流比较器，并关闭M
BOT
.
在V最小输入电压
INH
，以伏特为单位，一个
可调节输出，仍然避免辍学是
由下式给出：
t
关（ MIN）的
V
IN（降）
=
V
OUT
1+
+R
PS
I
OUT
(7)
t
ON
其中，可用于为300ns的保守值
t
关（ MIN）的
.
4641f
20
