AON2407
30V P沟道MOSFET
概述
该AON2407结合了先进的沟槽MOSFET
技术具有低电阻包提供
非常低R
DS （ ON）
。该器件非常适用于负荷开关
和电池保护的应用程序。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=-10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=-10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=-4.5V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=-2.5V)
-30V
-6.3A
< 37.5mΩ
< 46mΩ
< 70mΩ
DFN 2x2B
顶视图
S
底部视图
D
D
D
S
D
销1
G
D
G
S
销1
D
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
功耗
A
C
最大
-30
±12
-6.3
-5
-34
2.8
1.8
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
符号
t
≤
10s
稳态
R
θJA
典型值
37
66
最大
45
80
单位
°
C / W
°
C / W
冯0 ： 2011年11月
www.aosmd.com
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