CY7C1350G
电气特性
（续）
在整个工作范围
参数
[11, 12]
I
SB3
描述
CE自动断电
电流 - CMOS输入
测试条件
V
DD
=最大，设备选中， 5 ns的周期，
V
IN
0.3 V或V
IN
＆ GT ; V
DDQ
- 0.3 V ， 200 MHz的
f = f
最大
= 1/t
CYC
7.5 ns的周期，
133兆赫
V
DD
=最大，设备取消，所有速度
V
IN
V
IH
或V
IN
V
IL
, f = 0
民
–
–
–
最大
95
75
45
单位
mA
mA
mA
I
SB4
CE自动断电
电流 - TTL输入
电容
参数
[13]
C
IN
C
CLK
C
I / O
描述
输入电容
时钟输入电容
输入/输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
DD
= 3.3 V, V
DDQ
= 3.3 V
100引脚TQFP 119球BGA
最大
最大
5
5
5
5
5
7
单位
pF
pF
pF
热阻
参数
[13]
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
测试条件遵循标准测试
方法和程序，用于测量
热阻抗，按照EIA / JESD51 。
100引脚TQFP 119球BGA
包
包
30.32
6.85
34.1
14.0
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
图3. AC测试负载和波形
3.3 V的I / O负载测试
产量
Z
0
= 50
R
L
= 50
3.3 V
产量
5 pF的
R = 351
R = 317
V
DDQ
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
1纳秒
V
T
= 1.5 V
1纳秒
(a)
2.5 V的I / O负载测试
产量
Z
0
= 50
R
L
= 50
INCLUDING
夹具
范围
(b)
(c)
2.5 V
产量
5 pF的
V
T
= 1.25 V
R = 1667
V
DDQ
GND
R =1538
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
1纳秒
1纳秒
(a)
INCLUDING
夹具
范围
(b)
(c)
记
13.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05524牧师* L
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