CY7C1327G
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文档标题： CY7C1327G ， 4兆位（ 256千× 18 ）流水线同步SRAM
文件编号： 38-05519
启示录
**
*A
*B
ECN号
224367
278513
332895
服从
日期
见ECN
见ECN
见ECN
原稿。的
变化
RKF
VBL
SYT
新的数据表。
更新
订购信息
（更新部件号（变更为TQFP
无铅TQFP ，加无铅BGA封装） ） 。
更新
特点
（删除225兆赫， 100兆赫的频率相关
信息） 。
更新
选购指南
（删除225兆赫， 100兆赫的频率相关
信息） 。
更新
销刀豆网络gurations
（修改后的地址扩展的球在引脚
100引脚TQFP和119焊球BGA封装根据JEDEC标准） 。
更新
引脚定义。
更新
电气特性
（删除225兆赫， 100兆赫频率
相关信息，V的更新测试条件
OL
和V
OH
参数）。
更新
热阻
（由值
JA
和
JC
参数
从待定到相应热值的所有软件包） 。
更新
开关特性
（删除225兆赫， 100兆赫频率
相关信息） 。
更新
订购信息
（通过遮光和unshading MPNS按
可用性，对BGA无铅封装的可用性去掉注释） 。
更新
订购信息
（更新部件号） 。
更新
电气特性
（由测试条件为V
DD
和V
DDQ
参数，更新说明
8
（由V
IH
＆ LT ; V
DD
随着V
IH
＆ LT ;
V
DD
)).
改变现状，从初步到最后。
赛普拉斯半导体公司从“ 3901北已更改地址
第一街“到” 198冠军苑“ 。
更新
电气特性
（更改“输入负载电流除ZZ
和MODE “到”在描述输入漏电流除ZZ和MODE “
我
X
参数）。
更新
订购信息
（更新零件号，更换包装
名称中的订购信息表，包图列） 。
更新
包图
（SPEC 51-85050 （改版改*从A到* B）） 。
更新
最大额定值
（增加的最大额定值电源电压
在V
DDQ
相对于GND） 。
更新
订购信息
（更新部件号） 。
变化的说明
*C
*D
*E
351194
366728
419256
见ECN
见ECN
见ECN
PCI
PCI
RXU
*F
480124
见ECN
VKN
*G
2756340
08/26/2009
VKN / AESA添加
中子软错误免疫性。
更新
订购信息
（通过包括可用的零件，并
修改之后的免责条款的订购信息） 。
NJY
额外
订购代码定义。
更新
包图。
额外
缩略语
和
计量单位。
小修改，并在新的模板进行更新。
更新
包图。
更新了新的模板。
*H
3044512
10/01/2010
*I
3363203
09/05/2011
PRIT
文件编号： 38-05519牧师* K
第20页22
