位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1244页 > CY14MB064Q1B-SXI > CY14MB064Q1B-SXI PDF资料 > CY14MB064Q1B-SXI PDF资料2第5页
CY14MB064Q1B/CY14MB064Q2B
初步
CY14ME064Q1B/CY14ME064Q2B
从V充电
帽
电容。所述自动存储操作不
如果开始没有写周期已经从去年RECALL执行。
记
如果电容器没有连接到V
帽
针，自动存储必备
通过发出自动存储禁用指令被禁用
（自动存储
禁用15页（ ASDISB ）指令） 。
If
自动存储而不在V的电容器使
帽
引脚上，
设备尝试没有足够电量的自动存储操作
完成存储。存储在数据这将损坏
的nvSRAM ，状态寄存器，以及序列号，它会
解锁SNL位。要恢复正常的功能，在WRSR
指令必须发出更新的非易失性位BP0 ，
BP1和WPEN状态寄存器。
图2
示出了存储电容器的正确连接
(V
帽
）的自动存储操作。请参阅
直流电气
第18页上的特点
对于V的大小
帽
.
记
CY14MX064Q1B不支持自动存储操作。
您必须使用SPI进行软件商店运营
STORE指令，以确保数据的安全。
图2.自动存储模式
V
CC
RECALL操作
召回的操作将存储在非易失性数据
QuantumTrap元件到SRAM中。召回可能
有两种方式启动：硬件的调用，上电启动
和软件RECALL ，由SPI RECALL指令启动。
在内部，召回是一个两步的过程。首先， SRAM数据
被清除。接着，非易失性信息被传输至电
SRAM单元。所有的内存访问被禁止，同时召回
周期正在进行中。此次召回的操作不会改变
在非易失性元件的数据。
硬件RECALL （上电）
在上电期间，当V
CC
十字V
开关
中，自动
RECALL顺序启动，其中传输的内容
非易失性存储器上的SRAM中。这些数据将以前
已经被存储在非易失性存储器通过一条STORE
序列。
开机通电RECALL周期为吨
FA
时间来完成，
在这段时间内的存储器访问被禁止。
软件RECALL
0.1 uF的
10千欧
V
CC
软件RECALL允许您进行回收操作
恢复的非易失性存储器中的内容到SRAM中。一
通过使用SPI指令发出召回软件
回想。
软件RECALL需要吨
召回
这段期间完成
所有的内存存取的nvSRAM被禁止。该
控制器必须提供足够的延迟调用操作
发出任何内存访问指令前完成。
CS
V
帽
V
帽
V
SS
禁用和启用自动存储
如果该应用程序不要求自动存储功能，就可以
通过使用ASDISB指令被禁用。如果这样做，则
的nvSRAM不进行在电源关闭后一条STORE操作。
自动存储可通过使用ASENB指令被重新启用。
然而，这些操作都没有非易失性的，如果需要
此设置生存的动力循环，存储操作必须
执行以下自动存储禁用或启用的操作。
记
CY14MX064Q2B配备了带自动存储系统工厂
启用和CY14MX064Q1B / CY14MX064Q2B为0x00
写在所有的细胞。在CY14MX064Q1B ，V
帽
销不存在
并自动存储选项不可用。
记
如果自动存储被禁用，并且V
帽
不是必需的，则
V
帽
脚必须悬空。在V
帽
脚绝不能
连接到地。上电时的RECALL操作不能
在任何情况下被禁用。
软件商店运营
软件商店使得用户能够触发STORE操作
通过一个特殊的SPI指令。启动STORE操作
由不论执行STORE指令是否写
自从上次的NV操作已完成。
商店周期需要吨
商店
的时间来完成，在此期间所有
内存存取的nvSRAM被禁止。的RDY位
状态寄存器可轮询以查找就绪或忙
该NVSRAM的状态。之后的T
商店
周期的时间内完成，
的SRAM被用于读取和写入操作再次启动。
文件编号： 001-70382修订版* E
第28 5
