2SK3310
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ）
2SK3310
开关稳压器的应用
单位：mm
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 0.48
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 4.3 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
100
μA （最大值） （V
DS
= 450 V)
增强模型： V
th
= 3.0~5.0 V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
·
·
·
·
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20千瓦）
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AR
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
450
450
±30
10
40
40
222
10
4
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-67
2-10R1B
重1.9克（典型值）
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
3.125
62.5
单位
° C / W
° C / W
注1：请使用上的条件的设备，该通道的温度低于150℃。
注2 ： V
DD
=
90 V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
3.7 mH的，R
G
=
25
W,
I
AR
=
10 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
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2002-09-04
