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典型特征 - 470
-860兆赫宽带基准电路
24
23
G
ps
，功率增益（分贝）
22
21
20
19
18
450
η
D
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 450毫安， DVB - T（ 8K OFDM ）
64 QAM数据载波调制， 5符号
G
ps
P
OUT
= 4.5 W
9W
18 W
18 W
20
9W
4.5 W
500
550
600
650
700
750
800
850
10
60
50
40
30
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
η
D
,
排水 FFI效率（ ％ ）
IMD ，互调
失真肩（ DBC）
0
900
男，频率（MHz）
图21.单
-Carrier DVB- （ 8K OFDM ），功率增益和漏极
-T
效率与频率（宽带参考电路）
12
0
P
OUT
= 4.5 W
9W
PAR
18 W
18 W
9W
4.5 W
495
540
585
630
675
720
765
810
855
--5
--10
--15
--20
--25
--30
--35
--40
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 450毫安， DVB - T（ 8K OFDM ）
11 64 QAM数据载波调制， 5符号
10
输出PAR （分贝）
9
8
7
6
5
4
3
450
IMD
(1)
--45
900
男，频率（MHz）
（1）使用互调失真肩测量作出
增量标记在4.2兆赫的中心频率偏移。
图22.单
-Carrier DVB- （ 8K OFDM ）输出PAR和IMD
-T
肩部与频率（宽带参考电路）
26
25
G
ps
，功率增益（分贝）
24
23
22
21
20
19
620兆赫
740兆赫
470兆赫
η
D
860兆赫
G
ps
70
620兆赫
860兆赫
740
兆赫
470兆赫
60
50
40
30
30
20
10
0
200
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 450毫安
脉冲宽度= 100
微秒，
10 ％占空比
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
100
图23.脉冲功率增益和漏极效率
与输出功率（宽带参考电路）
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
11
