NID5001N
首选设备
自我保护FET
与温
电流限制
HDPlus设备是一种先进的系列功率MOSFET的这
利用关于Semicondutor最新的MOSFET技术工艺
实现尽可能低的导通电阻每硅片面积而
结合智能功能。综合热和电流限制
携手合作，提供短路保护。这些器件具有
集成漏极至栅极钳位，使他们能够承受
高能量在雪崩模式。该线夹还提供
额外的安全裕度对突发电压瞬变。
静电放电（ ESD ）保护功能是通过一个集成提供
栅 - 源钳位。
特点
http://onsemi.com
V
DSS
（夹紧）
42 V
I
D
最大
（有限公司）
33 A*
R
DS （ ON）
典型值
23毫欧@ 10 V
漏
过压
保护
M
PWR
低R
DS （ ON）
电流限制
与自动重新启动热关断
短路保护
I
DSS
指定高温
较高的雪崩能量
摆率控制的低噪声开关
过电压钳位保护
门
输入
R
G
ESD保护
温度
极限
当前
极限
当前
SENSE
来源
MOSFET的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压内部
夹
漏极至栅极电压内部钳位
(R
GS
= 1.0毫瓦）
栅极 - 源极电压
漏电流
连续
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
P
D
64
1.0
1.56
R
QJC
R
qJA
R
qJA
E
AS
1.95
120
80
1215
° C / W
价值
42
42
"14
单位
VDC
VDC
VDC
NID5001N =器件代码
Y
=年
WW
=工作周
DPAK
CASE 369C
方式2
1
2
3
记号
图
YWW
X
NID
5001N
内部限制
W
1 - 门
2 - 漏
3 =来源
总功耗
@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
热电阻 - 结到外壳
结到环境（注1 ）
结到环境（注2 ）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 5.0伏，
I
L
= 4.5 APK ， L = 120 mH的，R
G
= 25
W)
工作和存储温度
范围
订购信息
设备
NID5001NT4
包
DPAK
航运
2500 /磁带&卷轴
mJ
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
T
J
, T
英镑
-55
150
°C
1.最小FR4 PCB ，稳定的状态。
2.安装在一个2 “方形FR4电路板（ 1 ”广场， 2盎司铜0.06 “厚
单面，T =稳定状态） 。
*最大电流可以低于该值不限
根据输入的条件。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年1月 - 修订版6
出版订单号：
NID5001N/D
