UC1825A-SP

SLUS873A - 2009年1月 - 修订2009年4月

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高电流输出

该UC1825A的每个图腾柱输出可提供一个2 -A峰值电流为容性负载。可以将输出

在大约20纳秒杀1000 - pF电容15 V 。单独的集电极电压（ VC）和电源地

（ PGND ）引脚有助于解耦高功率门驱动器的噪声器件的模拟电路。使用3 -A

肖特基二极管（ 1N5120 ， USD245 ，或等同物）中所示的

图13

从每个输出到VC和

保护地建议。二极管钳位输出摆动到供电轨，有必要与任何类型的

感性/容性负载，典型的MOSFET栅极。肖特基二极管必须被使用，因为低正向

压降是必需的。不使用标准硅二极管。

UDG-95114

图12.功率MOSFET驱动电路

地平面

这些设备中的每一个输出驱动器是能够2-A中的峰值电流。精心的布局是正确必要的

芯片的操作。一个接地层必须采用。接地平面的一个独特的部分必须是

指定用于与所述输出级相关联的高di / dt电流。这点是电源地向其中

PGND引脚连接。电源地可以从接地平面的其余部分分开，并连接在一

单点，虽然这不是必要的，如果高的di / dt路径被很好的理解和解释。 VCC

应直接旁路到电源地以良好的高频电容器。权力的来源

MOSFET必须连接到电源地也应输入电源系统和返回的连接

大容量输入电容。输出应被夹住具有高电流的肖特基二极管与VCC和地线。

不出意外应该连接到电源地。

VREF应直接旁路到地平面的信号部分具有良好的高频

电容。低ESR / ESL陶瓷1 μF的电容被推荐为VCC和VREF 。所有模拟

电路也应被旁路到信号接地平面。

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