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超前信息
Am29DS163D
16兆位（2M ×8位/ 1的M× 16位）
CMOS 1.8伏只，同时操作闪存
特色鲜明
架构优势
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同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行，而读
执行擦除/编程功能的其他银行
读取和写入操作之间的零延迟
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多个银行的体系结构
- 提供两种器件具有不同大小的银行（参考
到表3）
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安全硅（ SecSi ）部门
—
工厂锁定和识别：
适用于16字节
安全的，随机的工厂电子序列号;
通过自动选择可验证的工厂被锁定
功能。 ExpressFlash选项可以让整个部门
可用于工厂保护的数据。
—
客户可锁定：
可以读取，编程，或者
就像其他行业的擦除。一旦锁定，数据
不能被改变。
- 64字节的扇区大小
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零功耗工作
- 先进的电源管理电路减少
在非活动期间到近功率消耗
零
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封装选项
- 48球FBGA
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顶部或底部启动块
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在0.23微米制程技术制造的
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兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
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20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
软件特点
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数据管理软件（ DMS ）
- AMD公司提供的软件管理数据编程
和擦除，使EEPROM仿真
- 简化扇区擦除限制
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支持通用闪存接口（ CFI ）
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擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作，使编程
同一家银行
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数据＃查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
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解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
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任何部门的结合可以被删除
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就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
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硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
硬件复位内部状态的方法
机读阵列数据
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WP ＃ / ACC输入引脚
- 写保护（ WP ＃ ）功能可保护2
最外层的引导扇区，无论部门保护状态，
- 加速度（ ACC ）功能提供加速
节目时间
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扇区保护
硬件锁定的扇区的方法，无论是
在系统或使用编程设备，以
防止任何程序或内擦除操作
扇形
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
性能特点
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高性能
- 存取时间快100纳秒
- 计划时间： 13微秒/字典型的利用加速功能
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超低功耗（典型值）
- 1 mA的1 MHz有源读取电流
- 5毫安在5 MHz有源读取电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
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每个扇区保证至少1百万次写周期
本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品，恕不另行通知。
出版＃
22326
启：
A
Amendment/1
发行日期：
2004年11月8日
请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。
