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2MBI550VJ-170-50
特性（代表）
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
T
j
= 25 ℃/芯片
1200
1000
V
GE
=20V
15V
12V
1000
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IGBT模块
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
T
j
= 150 ℃/芯片
1200
V
GE
= 20V
15V
集电极电流：I
C
[A]
集电极电流：I
C
[A]
800
600
400
200
0
0
1
2
3
4
5
10V
800
600
400
200
0
0
1
2
3
4
12V
10V
8V
8V
5
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
V
GE
= 15V /片
1200
1000
T
j
=25°C
125°C
[逆变器]
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压（典型值）。
T
j
= 25 ℃/芯片
10
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
集电极电流：I
C
[A]
150°C
800
600
400
200
0
0
1
2
3
4
5
8
6
4
2
0
5
10
15
20
25
I
C
=1100A
I
C
=550A
I
C
=275A
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
栅极 - 发射极电压： V
GE
[V]
[逆变器]
栅极电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
V
GE
= 0V ， = 1MHz的，T
j
= 25°C
集电极 - 发射极电压： V
CE
[200V/div]
栅极 - 发射极电压： V
GE
[5V/div]
栅极电容：C
IES
, C
OES
, C
水库
[ nF的]
1000
[逆变器]
动态栅极电荷（典型值）
V
CC
= 900V ，我
C
= 550A ，T
j
= 25°C
100
C
IES
10
C
水库
1
0
10
C
OES
20
30
V
CE
V
GE
0
1000
2000
3000
4000
5000
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
栅极电荷：Q
g
[μC]
2
