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2MBI450VN-170-50
特性（代表）
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
T
j
= 25 ℃/芯片
1000
V
GE
=20V
800
15V
12V
800
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IGBT模块
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
T
j
= 150 ℃/芯片
1000
V
GE
= 20V
15V
12V
600
400
200
0
10V
集电极电流：I
C
[A]
600
400
200
8V
0
0
1
2
3
4
5
10V
集电极电流：I
C
[A]
8V
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
V
GE
= 15V /片
1000
T
j
=25°C
800
125°C
[逆变器]
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压（典型值）。
T
j
= 25 ℃/芯片
10
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
8
6
4
2
0
5
10
15
20
25
I
C
=900A
I
C
=450A
I
C
=225A
集电极电流：I
C
[A]
150°C
600
400
200
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
栅极 - 发射极电压： V
GE
[V]
[逆变器]
栅极电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
V
GE
= 0V ， = 1MHz的，T
j
= 25°C
栅极电容：C
IES
, C
OES
, C
水库
[ nF的]
1000
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-5000
V
GE
[逆变器]
动态栅极电荷（典型值）
V
CC
= 900V ，我
C
= 450A ，T
j
= 25°C
1000
V
CE
750
500
250
0
-250
-500
-750
-1000
1000
3000
-1000
5000
100
C
IES
10
C
水库
1
0
10
C
OES
20
30
-3000
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
栅极电荷：Q
g
[μC]
2
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
栅极 - 发射极电压： V
GE
[V]
