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bq2085V1P2
SLUS590 - 2003年12月
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SMBUS时序规范
V
DD
= 3.0 V至3.6 V ，T
A
= -20 ° C至85°C （除非另有说明）
参数
F
SMB
F
MAS
T
BUF
T
高清： STA
T
SU ： STA
T
苏： STO
T
高清： DAT
T
苏： DAT
T
TIMEOUT
T
低
T
高
T
LOW ： SEXT
T
LOW ：文部科学省
T
F
T
R
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
测试条件
从模式， SMBC 50％占空比
主模式下，没有时钟从低延伸
民
10
典型值
51.2
最大
100
单位
千赫
千赫
s
s
s
s
ns
ns
SMBus的工作频率
SMBus的主时钟频率
开始和结束之间的总线空闲时间
后（重复）开始保持时间
重复启动建立时间
停止建立时间
4.7
4.0
4.7
4.0
接收模式
0
300
250
SEE
(1)
SEE
(2)
SEE
(3)
SEE
(4)
SEE
(5)
SEE
(6)
25
4.7
4.0
50
25
10
300
1000
35
传输模式
数据保持时间
数据建立时间
错误信号/检测
时钟低电平时间
时钟高电平时间
累计时钟低电平从延长时间
累计时钟低电平主时间延长
时钟/数据下降时间
时钟/数据上升时间
ms
s
s
ms
ms
ns
ns
该bq2085 - V1P2超时当任何时钟低电平超过T
TIMEOUT
T
高
马克斯。最小总线空闲时间。 SMBC = 1吨> 50
s
原因涉及bq2085 - V1P2正在进行中的交易的复位。
T
LOW ： SEXT
是累计时间的从设备被允许从初始开始扩展时钟周期中一个消息到停止。
T
LOW ：文部科学省
是累计时间的主设备，允许从初始开始扩展时钟周期一个消息发送到一站。
上升时间t
R
= (V
ILMAX
- 0.15 V）至（Ⅴ
IHmin
+ 0.15 V).
秋季时间t
F
= 0.9 V
DD
到（Ⅴ
ILMAX
0.15 V).
DATA FLASH MEMORY开关特性
V
DD
= 3.0 V至3.6 V ，T
A
= -20 ° C至85°C （除非另有说明）
参数
t
（卷紧）
数据保留
闪存编程写周期
t
（ WORDPROG ）
I
（ DDPROG ）
(1)
测试条件
SEE
(1)
SEE
(1)
SEE
(1)
SEE
(1)
民
10
典型值
10
5
最大
单位
岁月
周期
字编程时间
闪存的写入电流供应
2
14
16
ms
mA
按设计规定。未经生产测试。
注册备份
参数
I
（ RBI）
V
（ RBI）
(1)
测试条件
V
RB
> 3.0 V ，V
DD
＆ LT ; V
IT
民
典型值
10
最大
100
单位
nA
V
印度储备银行数据保持输入电流
(1)
印度储备银行的数据保持电压
1.3
按设计规定。未经生产测试。
6
