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AD9518-1
特定网络阳离子
数据表
典型值给出了V
S
= V
S_LVPECL
= 3.3 V ± 5%; V
S
≤ V
CP
= 5.25 V ;牛逼
A
= 25 ;
SET
= 4.12 kΩ的; CP
RSET
= 5.1千欧,除非另有说明。
的最大值和最小值,给出了整个V
S
和T
A
( -40 ° C至+ 85°C )的变化。
电源要求
表1中。
参数
V
S
V
S_LVPECL
V
CP
RSET引脚电阻
CPRSET引脚电阻
旁路引脚电容
3.135
2.375
V
S
2.7
典型值
3.3
最大
3.465
V
S
5.25
10
单位
V
V
V
k
k
nF
测试条件/评论
3.3 V ± 5%
标称2.5 V至3.3 V± 5 %
标称3.3 V至5.0 V± 5 %
设置内部偏置电流;连接到接地
设置内部CP电流范围,名义上4.8毫安( CP_lsb = 600 μA) ;
实际的电流可以通过CP_lsb = 3.06 / CPRSET计算;
连接到接地
旁路内部LDO稳压器;必要LDO的稳定性;
连接到接地
4.12
5.1
220
PLL特性
表2中。
参数
VCO ( ON- CHIP)
频带
VCO增益(K
VCO
)
调谐电压(V
T
)
频推(开环)
相位噪声在100 kHz偏置
在1 MHz的相位噪声抵消
参考输入
差模( REFIN , REFIN )
输入频率
输入灵敏度
0
250
2300
50
0.5
1
105
124
V
CP
0.5
典型值
最大
2650
单位
兆赫
兆赫/ V
V
兆赫/ V
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
测试条件/评论
见图11
参见图6
V
CP
≤ V
S
使用内部VCO时;在此范围之外,则CP
杂散可能会增加由于CP的向上/向下的不匹配
F = 2475 MHz的
F = 2475 MHz的
差模(可容纳单端输入
交流接地无驱动输入)
低于约1兆赫的频率应该是直流耦合;当心
匹配V
CM
(自偏压)
PLL品质因数( FOM )的随压摆率提高
(参见图10) ;
输入灵敏度是足够的交流耦合
250
兆赫
mV的P-P
LVPECL和LVDS信号
自偏压, REFIN
自偏压, REFIN
输入电阻, REFIN
输入电阻, REFIN
双通道单端模式( REF1 , REF2 )
输入频率(交流耦合)
输入频率(直流耦合)
输入灵敏度(交流耦合)
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入电流
脉冲宽度高/低
输入电容
相位/频率检测器( PFD )
PFD输入频率
反冲脉冲宽度
1.3
2.9
6.0
1.35
1.30
4.0
4.4
20
0
0.8
2.0
100
1.8
2
100
45
0.8
+100
1.60
1.50
4.8
5.3
1.75
1.60
5.9
6.4
250
250
V
V
k
k
兆赫
兆赫
V P-P
V
V
A
ns
pF
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
REFIN的自偏压
1
REFIN的自偏压
1
自偏置
1
自偏置
1
两个单端CMOS兼容输入
压摆率> 50 V / μs的
压摆率> 50 V / μs的; CMOS电平
不应超过V
S
p-p
此值确定的允许输入的占空比,并且是
的时间,一个方波高/低
每个引脚, REFIN / REFIN ( REF1 / REF2 )
反冲脉冲宽度= 1.3纳秒, 2.9纳秒
反冲脉冲宽度= 6.0纳秒
寄存器0x017 [1:0 ]条件= 01b
寄存器0x017 [1:0 ] = 00B ;寄存器0x017 [1:0 ] = 11b时
寄存器0x017 [1:0 ] = 10b的
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