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CY62167EV30的MoBL
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR[13]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流V
CC
= 1.5 V至3.0 V，
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2 V或CE
2
< 0.2 V或
（ BHE和BLE ） > V
CC
– 0.2 V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2 V或V
IN
< 0.2 V
产业
48引脚TSOP I
条件
最小值典型值
[12]
最大单位
1.5
–
–
–
–
8
V
A
产业
V
CC
= 1.5 V， CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2 V或
CE
2
< 0.2 V或
（ BHE和BLE ） > V
CC
– 0.2 V,
汽车-A
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2 V或V
IN
< 0.2 V
t
CDR[14]
t
R[15]
芯片取消到数据
保留时间
操作恢复
时间
其他
套餐
所有的包
–
–
0
45
–
–
–
–
10
10
–
–
A
A
–
ns
数据保存波形
图4.数据保存波形
V
CC
CE
1
or
BHE
.
BLE
[16]
V
CC
（分钟）
t
CDR
数据保持方式
V
DR
> 1.5 V
V
CC
（分钟）
t
R
or
CE
2
笔记
12.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
13.芯片使能（ CE
1
和CE
2
） ，字节使能（ BHE和BLE ）和字节必须与CMOS电平，以满足我
SB1
/ I
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
14.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
15.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
16. BHE.BLE是既BHE和BLE和。无论是通过禁用芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE取消的芯片。
文件编号： 38-05446牧师* L
第19 6
