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CY62167EV30的MoBL
直流输入电压
[5, 6]
....... -0.3 V至3.9 V（V
CC（ MAX）的
+ 0.3 V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压
（ MIL -STD -883方法3015 ） ................................. >2001 V
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度............................... -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源采用......................................... -55 ° C至+ 125 ℃，
电源电压对地
潜在........................... 0.3 V至3.9 V（V
CC（ MAX）的
+ 0.3 V)
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[5, 6]
........... -0.3 V至3.9 V（V
CC（ MAX）的
+ 0.3 V)
工作范围
设备
CY62167EV30LL
范围
环境
温度
V
CC
[7]
2.2 V至
3.6 V
工业/ -40 ° C至+85°C
汽车-A
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
45纳秒（工业/汽车-A ）
民
典型值
[8]
最大
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
I
OH
= -0.1毫安
2.0
–
–
I
OH
= -1.0毫安
2.4
–
–
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
I
OL
- 0.1毫安
–
–
0.4
2.7 < V
CC
< 3.6
I
OL
= 2.1毫安
–
–
0.4
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
1.8
–
V
CC
+ 0.3 V
2.2
–
V
CC
+ 0.3 V
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
–0.3
–
0.6
对于VFBGA封装
–0.3
–
0.8
2.7 < V
CC
< 3.6
对于TSOP封装我
–0.3
–
0.7
[9]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
–1
–
+1
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
–1
–
+1
–
25
30
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
F = 1 MHz的
–
2.2
4.0
CMOS电平
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或CE
2
< 0.2 V
–
1.5
12
或（ BHE和BLE ） > V
CC
– 0.2 V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2 V, V
IN
< 0.2 V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE和WE ） ，V
CC
= V
CC（ MAX）的
CE1 > V
CC
- 0.2V或CE2 < 0.2 V或
–
1.5
12
（ BHE和BLE ） > V
CC
– 0.2 V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V ，
F = 0，V
CC
= V
CC（ MAX）的
测试条件
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1[10]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
自动断电
目前， CMOS输入
I
SB2[10]
自动断电
目前， CMOS输入
A
笔记
5. V
IL （ MIN ）
= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
7.全部设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC（分钟）
和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
8.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
9.在直流条件下的设备满足V
IL
0.8 。然而，在动态条件输入低电压施加到该设备必须不高于0.7伏，这是
适用于TSOP我只包。
10.芯片使能（ CE
1
和CE
2
） ，字节使能（ BHE和BLE ）和字节必须与CMOS电平，以满足我
SB1
/I
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 38-05446牧师* L
第19 4
