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CY14B101LA
CY14B101NA
1兆位（ 128千× 8/64 K＆times 16 ）的nvSRAM
1兆位（ 128千× 8/64 K＆times 16 ）的nvSRAM
特点
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20纳秒， 25纳秒，和45 ns访问时间
内部组织为128千× 8 （ CY14B101LA ） ，或一个64 K × 16
(CY14B101NA)
只有一小关就断电自动STORE手
电容
STORE到QuantumTrap发起的非易失性元件
软件，器件引脚或自动存储在掉电
召回SRAM通过软件或上电启动
无限的读，写和召回周期
百万STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
单3 V + 20 ％到-10 ％操作
工业温度
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套餐
32引脚小外形集成电路（ SOIC ）
44- / 54引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ）II型
48引脚小外形封装（ SSOP ）
48球细间距球栅阵列（ FBGA ）
无铅和有害物质限制指令（RoHS ）
柔顺
功能说明
赛普拉斯CY14B101LA / CY14B101NA是一个快速静态RAM
（SRAM），与在每个存储单元的非易失性元件。该
存储器由128千字节为8位或每64 K字
的每个16比特。嵌入式非易失性元件结合
QuantumTrap技术，生产世界上最可靠的
非易失性存储器。该SRAM提供了无限的读写
周期，而独立的非易失性数据驻留在高度
可靠QuantumTrap细胞。从SRAM的数据传输
非易失性元件（实体店经营）发生
自动在电源关闭。上电时，数据被恢复到
从非易失性存储器SRAM中（该RECALL操作）。
无论是STORE和RECALL操作也可
在软件控制下。
逻辑框图
[1, 2, 3]
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
Quatrum陷阱
1024 X 1024
商店
召回
静态RAM
ARRAY
1024 X 1024
存储/调用
控制
HSB
V
CC
V
帽
动力
控制
软件
检测
A
14
- A
2
DQ
0
DQ
1
DQ
2
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3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
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9
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10
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11
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DQ
14
DQ
15
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
A
11
CE
BLE
I
N
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
列I / O
COLUMN DEC
OE
WE
BHE
笔记
1.地址
0
–A
16
为× 8配置和地址
0
–A
15
对于× 16的配置。
2.数据DQ
0
-DQ
7
为× 8配置和数据DQ
0
-DQ
15
对于× 16的配置。
3. BHE和BLE适用于只× 16的配置。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-42879修订版*○
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2012年8月14日
