数据表
异质结场效应晶体管
NE321000
C到Ka波段超低噪声放大器
N沟道HJ -FET芯片
描述
该NE321000是异质结场效应管是利用异质结形成高电子迁移率。其
优异的低噪声和相关的增益，使其适合于DBS和另一商业系统，工业和
空间应用。
特点
超低噪声系数和放大器;关联度高增益
NF = 0.35 dB典型值。
a
= 13.5 dB典型值。 @ F = 12 GHz的
门长度：L
g
≤
0.20
m
闸门宽度：W
g
= 160
m
订购信息（ PLAN）
产品型号
NE321000
标准（ D级）
质量等级
备注
如需订购评估样品，请联系您当地的NEC销售办事处。 （样品订购部件号：
NE321000)
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
合计
记
评级
4.0
–3.0
I
DSS
100
200
175
-65到+175
单位
V
V
mA
A
mW
°C
°C
T
ch
T
英镑
记
芯片安装在氧化铝散热片（尺寸： 3
×
3
×
0.6 t)
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不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件P14270EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期1999年11月 CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
1999
