位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第772页 > EDW1032BBBG-50-F > EDW1032BBBG-50-F PDF资料 > EDW1032BBBG-50-F PDF资料1第11页
EDW1032BBBG
2.1
工作条件
表8 ：直流工作条件
POD15
参数
器件的电源电压
I / O电源电压
参考电压DQ和/ DBI销
参考电压DQ和/ DBI销
符号
VDD
VDDQ
VREFD
VREFD2
分钟。
1.455
1.455
0.69 *
VDDQ
0.49 *
VDDQ
0.69 *
VDDQ
VREFC
+ 0.15
—
VREFD
+ 0.10
—
VREFD2
+ 0.30
—
VDDQ
- 0.5
—
VDDQ
- 0.3
—
-5
-5
—
115
典型值。
1.5
1.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
120
马克斯。
1.545
1.545
0.71 *
VDDQ
0.51 *
VDDQ
0.71 *
VDDQ
—
VREFC
- 0.15
—
VREFD
- 0.10
—
VREFD2
- 0.30
—
0.3
—
0.3
+5
+5
0.62
125
分钟。
1.3095
1.3095
0.69 *
VDDQ
0.49 *
VDDQ
0.69 *
VDDQ
VREFC
+ 0.135
—
VREFD
+ 0.09
—
VREFD2
+ 0.27
—
VDDQ
- 0.5
—
VDDQ
- 0.3
—
-5
-5
—
115
POD135
典型值。
1.35
1.35
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
120
马克斯。
1.3905
1.3905
0.71 *
VDDQ
0.51 *
VDDQ
0.71 *
VDDQ
—
VREFC
- 0.135
—
VREFD
- 0.09
—
VREFD2
- 0.27
—
0.3
—
0.3
+5
+5
0.56
125
单位注
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
μA
V
9
9
10
11
2
2
3,4
3,4,5
6
外部参考电压的地址和
VREFC
命令
直流输入逻辑高电压为地址和
温哥华岛卫生局（DC）的
指令输入
直流输入逻辑低电压为地址和
指令输入
DC输入逻辑高电压DQ ， / DBI
与VREFD输入
直流输入逻辑低电压的DQ ， / DBI
与VREFD输入
DC输入逻辑高电压DQ ， / DBI
与VREFD2输入
直流输入逻辑低电压的DQ ， / DBI
与VREFD2输入
输入逻辑高电压/ RESET ， SEN ，
MF
输入逻辑高电压EDC1 / 2
（ x16模式检测）
输入逻辑低电压EDC1 / 2
（ x16模式检测）
维拉（DC）的
VIHD （DC）的
VILD （DC）的
VIHD2(DC)
VILD2(DC)
ViHR
输入逻辑低电压/ RESET ， SEN ， MF VILR
Vihx
Vilx
输入漏电流
（任何输入0V
≤
VIN
≤
VDDQ ;所有其他引脚IL
不被测= 0V ）
输出漏电流
（DQS被禁用; 0V
≤
VOUT
≤
VDDQ ）
输出逻辑低电压
外部电阻值
注：1 。
2.
3.
4.
IOZ
VOL （DC）的
ZQ
Ω
0°C
≤
TC
≤
95 ℃。所有电压都在封装引脚测得。
GDDR5 SGRAMs旨在耐受PCB设计有独立的VDDQ和VDD电源稳压器。
在系统的交流噪声估计为50毫伏峰对峰的DRAM的设计的目的。
参考电压与参考电压DQ和/ DBI引脚控制源是由VREFD ，半确定
VREFD和VREFD偏移模式的寄存器。
5. VREFD偏移不支持VREFD2 。
6.外部VREFC是由控制器提供的，因为没有备用电源。
7. DB中， / DBI的输入转换率必须大于或等于和3V /纳秒为POD15 2.7V / ns的对于POD135 。压摆率
VREFD交叉和VIHD交流（AC）或VILD交流（AC）或VREFD2交叉和VIHD2交流（AC）或VILD2 （AC）之间测量的。
8. ADR / CMD输入转换率必须大于或等于和3V /纳秒为POD15 2.7V / ns的对于POD135 。压摆率
测量VREFC交叉和温哥华岛卫生局（交流）或维拉（AC）之间。
9. VIHX和VILX定义输入电压电平，可检测的X32模式或x16模式与接收器/复位去
高。
10. IL的测量的ODT断。任何输入0V
≤
VIN
≤
VDDQ ;所有其它引脚不能被测= 0V 。
11. IOZ是衡量的DQ禁用; 0V
≤
VOUT
≤
VDDQ 。
数据表E1771E11 （ 1.1版）
11
