2N5060 THRU 2N5064
可控硅整流器
0.8安培， 30 THRU 200伏
中央
TM
半导体公司
描述：
中央SEMICONDUCTOR 2N5060系列
类型环氧树脂成型可控硅
设计用于控制系统的整流器和
检测电路的应用。
标识代码：全型号
TO- 92 CASE
最大额定值：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
重复峰值断态电压
RMS通态电流（ TC = 60 ° C）
峰值一个周期浪涌
峰值正向栅电流（ TP = 20μS ）
峰值反向栅极电压
栅极峰值功耗
VDRM ， VRRM
IT （ RMS ）
ITSM
IGM
VGM
PGM
2N5060
30
2N5061 2N5062 2N5063 2N5064单位
60
100
0.8
10
1.0
5.0
2.0
0.1
-40到+150
-40到+125
150
200
V
A
A
A
V
W
W
°C
°C
平均栅极功率耗散（ T = 20μS ） PG （ AV ）
储存温度
TSTG
结温
TJ
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
IDRM ，
IDRM ，
IGT
IGT
IH
IH
VGT
VGT
VGT
VTM
dv / dt的
tq
IRRM
IRRM
额定VDRM ，
额定VDRM ，
VRRM ， RGK = 1KΩ
VRRM ， TC = 125°C ， RGK = 1KΩ
VD = 7.0V ， RL = 100Ω ， RGK = 1KΩ
VD = 7.0V ， RL = 100Ω ， RGK = 1KΩ ， TC = -65℃
RGK=1K
RGK = 1KΩ ， TC = -65℃
VD = 7.0V ， RL = 100Ω
VD = 7.0V ， RL = 100Ω ， TC = -65℃
VD = 7.0V ， RL = 100Ω ， TC = 125°C
ITM=1.2A
VD = 0.67V X VDRM ， TC = 125°C ， RGK = 1KΩ
VD = 0.67V X VDRM ， TC = 125°C ， RGK = 1KΩ
0.1
典型值
最大
1.0
50
200
350
5.0
10
0.8
1.2
1.7
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
V / μs的
s
30
200
R4 （ 2004年25月）
