恩智浦半导体
BLF884P ; BLF884PS
UHF功率LDMOS晶体管
8.测试信息
表9 。
组件列表
对于测试电路，见
图5
和
图6 。
部件
B1, B2
C1, C2
C3
C4
C10, C13, C14
C11, C12
C15, C16
C17, C18, C23,
C24
C19, C20
C21, C22
C30
C31
C33, C34, C35
C36, C37
L1
L2
L3, L32
L4
L5
L30
L31
L33
R1, R2
R3, R4
R5, R6
R7, R8
[1]
[2]
[3]
[4]
描述
半刚性同轴电缆
多层瓷介片状电容器
多层瓷介片状电容器
多层瓷介片状电容器
多层瓷介片状电容器
多层瓷介片状电容器
多层瓷介片状电容器
多层瓷介片状电容器
多层瓷介片状电容器
电解电容
多层瓷介片状电容器
多层瓷介片状电容器
多层瓷介片状电容器
多层瓷介片状电容器
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
电阻丝
贴片电阻
电阻丝
电位器
价值
25
;
49.5 mm
5.1 pF的
6.8 pF的
8.2 pF的
100 pF的
10 pF的
4.7
F,
50 V
100 pF的
10
F,
50 V
470
F;
63 V
13 pF的
2.2 pF的
100 pF的
4.7
F,
50 V
-
-
-
-
-
-
-
-
10
5.6
100
10 k
[4]
[4]
[4]
[4]
[4]
[4]
[4]
[4]
[3]
[3]
[3]
[1]
[1]
[1]
[1]
[2]
[1]
备注
UT - 090C - 25 （ EZ 90-25 ）
KEMET C1210X475K5RAC -TU或
电容器相同的质量。
TDK C570X7R1H106KT000N或
电容器相同的质量。
TDK C4532X7R1E475MT020U或
电容器相同的质量。
(W
L） 15毫米
13 mm
(W
L） 5毫米
26 mm
(W
L） 2毫米
49.5 mm
(W
L） 1.7毫米
3.5 mm
(W
L） 2毫米
9.5 mm
(W
L） 5毫米
13 mm
(W
L） 2毫米
11 mm
(W
L） 2毫米
3 mm
0805
美国技术陶瓷型800B或相同质量的电容。
美国技术陶瓷型180R或同等质量的电容。
美国技术陶瓷型100A或同等质量的电容。
印刷电路板（PCB ） ： Taconic的RF35 ;
r
= 3.5的F /米;高度= 0.762毫米;铜（顶部/底部的金属化） ;
厚度镀铜= 35
m.
BLF884P_BLF884PS
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产品数据表
第2版 - 二零一一年十二月一十六日
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