DG528 ， DG529
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
V + = 15 V ，V = - 15 V ， WR = 0 ，
RS = 2.4 V ，V
IN
= 2.4 V ， 0.8 μF
f
后缀
B，C ，D后缀
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
房间
满
房间
房间
满
DG528
DG529
DG528
DG529
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
满
满
满
房间
房间
典型值。
c
分钟。
d
- 15
270
6
± 005
± 0.015
± 0.008
± 0.03
± 0.015
-1
- 50
- 10
- 200
- 10
- 100
- 10
- 200
- 10
- 100
- 10
- 30
10
30
- 10
- 30
1
1.5
1
s
- 10
- 30
1
50
10
200
10
100
10
200
10
100
-5
- 50
- 20
- 200
- 20
- 100
- 20
- 200
- 20
- 100
- 10
- 30
10
30
A
5
50
20
200
20
100
20
200
20
100
马克斯。
d
15
400
500
分钟。
d
- 15
马克斯。
d
15
450
550
单位
V
%
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
最大的变化在研发
DS （ ON）
通道之间
f
来源OFF漏电流
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
V
D
= - 10 V，I
S
= - 200 A
- 10 V < V
S
＆ LT ; 10 V
V
EN
= 0 V, V
D
= ± 10 V
V
S
= ± 10 V
V
EN
= 0 V, V
D
= ± 10 V
V
S
= ± 10 V
V
S
= V
D
= ± 10 V
V
EN
= 2.4 V
流掉泄漏电流
I
D（关闭）
nA
漏极泄漏电流
数字控制
逻辑输入电流
I
D（上）
V
A
= 2.4 V
I
AH
V
A
= 15 V
I
AL
t
TRANS
t
开放
t
ON （ EN ， WR ）
t
OFF （ EN ， RS ）
Q
OIRR
C
in
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
V
EN
= 0 V, 2.4 V, V
A
= 0 V
RS = 0 V ， WR = 0 V
参见图5
参见图4
参见图6和图7
参见图6和图8
V
S
= 0 V ，R
y
= 0
C
L
= 10
F
V
EN
= 0 V ，R
L
= 1 kC
L
= 15 pF的
V
S
= 7 V
RMS
， F = 500千赫
F = 1 MHz的
V
EN
= 0 V, V
D
= 0 V ， F = 140千赫
DG528
V
EN
= 0 V, V
D
= 0 V
F = 140千赫
DG529
- 0.002
0.006
- 0.002
输入电压高
逻辑输入电流
输入电压低
动态特性
转换时间
突破前先间隔
EN和WR开启时间
EN和WR关闭时间
电荷注入
关断隔离
逻辑开关输入电容
源关断电容
流掉电容
0.6
0.2
1
0.4
4
68
2.5
5
25
12
300
180
30
500
pC
dB
pF
最小输入时序要求
t
W
把脉冲宽度
t
S
A
X
， EN的数据建立时间
t
H
A
X
， EN数据保持时间
复位脉冲宽度
t
RS
电源
正电源电流
I+
负电源电流
I-
V
S
= 5 V ，见图3
V
EN
= V
A
= 0 V
300
180
30
500
2.5
2.5
- 1.5
ns
- 1.5
mA
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 70068
S11-1029 -REV 。 D， 23日， 11
www.vishay.com
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www.vishay.com/doc?91000
