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BH □□ RB1WGUT系列
块
图中，推荐电路图和引脚分配图
BH□□RB1WGUT
VIN
VIN
B2
武LTAG ê
EF ERE NCE
技术说明
PIN号
B2
B1
VOUT
B1
符号
V
IN
V
OUT
GND
STBY
1PIN MARK
功能
电源输入
电压输出
地
输出电压的ON / OFF控制
（高：开，低： OFF）
CIN
A1
VOUT
A1
A2
摹ND
日ERM A L
P RO牛逼ECT IO
VER CU RRE新台币
P ro的忒多人回放
Co
VSTBY
STBY
A2
C 0 NT RO L
BLO CK
1
A
2
CIN ： 1.0 μF
联合： 1.0 μF
B
TOP VIEW （马克侧）
图。 24
“权力
耗散（PD）的
1.功耗（PD ）
功耗计算包括输出功率耗散特性和内部IC的功耗。在
该集成电路中使用时，此功耗超过环境的情况下，随之而来的
结温会触发热关断电路，减小电流容量和以其他方式降低了
集成电路的设计性能。允许足够的利润，使这个功耗IC不工作期间超标。
计算最大内部IC的功耗（P
最大
)
P
最大
= (V
IN
- V
OUT
)
I
OUT
（ MAX 。 ）
V
IN
：输入电压
V
OUT
：输出电压
I
OUT
（ MAX） ：输出电流
2.功耗/功耗降低（ PD）
VCSP60N1
0.6
530毫瓦
董事会： 7毫米
7 mm
0.8 mm
材料：玻璃环氧树脂印刷电路板
0.4
钯[W]
0.2
0
0
25
50
75
100
125
*电路设计应允许足够的裕度的温度范围内进行PMAX <钯。
TA [
℃
]
图。 25 VCSP60N1功耗/功耗降低（例）
- 输入
输出电容
建议将输入和GND引脚之间的旁路电容，其定位为靠近引脚
可能。这些电容器用于当电源阻抗增加或长布线路径被使用时，使
一旦集成电路已被安装，他们会被检查。陶瓷电容一般有温度和直流偏置
的特点。使用X5R或X7R陶瓷电容器，其提供良好的温度和直流偏置特性，以及
稳定的高电压。
典型的陶瓷电容特性
120
100
120
变化的电容率（ ％ ）
变化的电容率（ ％ ） ]
100
变化的电容率（ ％ ）
(%)
变化的电容率
50 V
torelance
50 V torelance
95
100
变化的电容率（ ％ ）
静電容量変化率
[%]
80
90
80
X7R
X5R
Y5V
16 V torelance
10 V torelance
60
85
60
10 V torelance
40
16 V torelance
80
40
20
75
20
0
0
1
70
0
1
0
-25
0
25
温度[ ℃ ]
50
75
直流偏置直流电压（V ）
2
3
4
直流偏置直流电压（V ）
2
3
4
图。 26电容VS偏差（ Y5V ）
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图27电容VS偏见
（ X5R ， X7R ）
图。 28电容与温度
（ X5R ， X7R ， Y5V ）
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2011.01 - Rev.C
