BA10393F,BA10339F,BA10339FV,BA2903SF,BA2903SFV,BA2903SFVM,BA2903F,BA2903FV,
BA2903FVM,BA2901SF,BA2901SFV,BA2901SKN,BA2901F,BA2901FV,BA2901KN,BA8391G
技术说明
●降额
曲线
功耗（总损耗）表示可以通过集成电路在Ta被消耗掉的功率= 25 ℃ （常温） .IC加热
当它消耗的功率，和IC芯片的温度比周围温度高。该温度
可以通过IC芯片被接受取决于电路结构，制造工艺，和消耗的功率是有限的。
功耗由在IC芯片（最大结点温度）和热使温度确定
封装（散热能力）的阻力。最大结温度通常等于最大
在存储温度范围值。由集成电路所消耗的功率产生的热量从模制树脂或引线框辐射
包的。这表示在此散热性（热释放的硬度）的参数被称为热
电阻，用符号表示的
θJA
[ ℃ / W]的IC封装内部.The温度可以通过该热来估计
性。图114 （ a）示出了封装的热电阻的模型。热电阻
θJA ，
环境
温度Ta ，结温Tj和功耗的Pd ，可以计算由下式：
θJA
= （ TJ - Ta）的/钯
[℃/W]
(Ⅰ)
在图114 （二）衰减曲线表明功率能够由集成电路所消耗，参照环境温度。力量
可以通过集成电路消耗开始衰减，在某些环境温度。这种梯度通过IIS来确定热
阻力
θJA 。
热阻
θJA
取决于芯片大小，功耗，封装，环境温度，包
条件下，风速等，即使在同一个包中被使用。热还原曲线表示的参考值
在指定的条件下进行测定。图115 （三） （f）表示为BA8391 ， BA10393 ， BA10339的一个例子的衰减曲线，
BA2903S ， BA2903 ， BA2901S和BA2901 。
LSI
の 消 費 電 力
LSI的功耗
[W]
加入Pd（最大）
θJA
= （ TJ
ー
TA ） / PD [
℃
/W]
周囲温度
环境温度
TA [
℃
]
P2
θja2
＆ LT ;
θja1
P1
θ'
ja2
θ
ja2
TJ ' （最大）
Tj max的
θ'
ja1
θ
ja1
75
100
125
150
芯片表面
チ ップ 表面温度
TJ [
℃
]
温度
功耗
P [ W]
消費電力
0
25
50
周囲温度
环境温度
TA [
℃
]
（一）热电阻
1000
消耗功率PD [毫瓦]
许容损失PD
[毫瓦]
（二）降额曲线
1000
1000
图114热电阻和降额曲线
800
620mW(
★
16)
许容损失PD
[毫瓦]
消耗功率PD [毫瓦]
800
800
700mW(
★
17)
BA10393F
BA10339FV
600
600
600
490mW(
★
18)
BA10339F
400
400
400
200
200
0
0
200
0
0
25
50
75
100
125
0
0
25
25
50
50
75
75
100
100
125
125
环境温度
[℃]
周囲温度的Ta
[°C]
环境温度[ ℃ ]
周囲温度的Ta
[°C]
（三） BA10393家族
1000
780mW(
★
19)
690mW(
★
20)
（四） BA10339家族
1000
870mW(
★
22)
消耗功率PD [毫瓦]
许容损失PD
[毫瓦]
BA2903FV
BA2903FVM
消耗功率PD [毫瓦]
许容损失PD
[毫瓦]
800
BA2903F
BA2901FV
800
660mW(
★
23)
BA2901KN
BA2901F
BA2901SFV
600
590mW(
★
21)
600
610mW(
★
24)
400
BA2903SF
400
200
BA2903SFV
BA2903SFVM
200
BA2901SKN
BA2901SF
0
0
25
50
75
100
105
0
125
150
0
25
50
75
100
105
125
150
环境温度[ ℃ ]
周囲温度的Ta
[°C]
环境温度[ ℃ ]
周囲温度的Ta
[°C]
（五） BA2903系列
(*16)
6.2
(*17)
7.0
(*18)
4.9
(*19)
6.2
(*20)
5.5
(*21)
4.7
（六） BA2901系列
(*22)
7.0
(*23)
5.3
(*24)
4.9
单位
[毫瓦/ ℃ ]
当使用上面的Ta = 25 ℃ ]的单位，减去上述每度[ ℃ ]的值。
允许的耗散值时， FR4玻璃环氧树脂板70毫米] × 70 [MM ] × 1.6 [ MM] （低于3 [％]库珀箔区）安装。
图115降额曲线
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