BUZ 32
H
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
=
(T
j
)
参数：
I
D
= 6 A,
V
GS
= 10 V
1.3
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
=
(T
j
)
参数：
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 1毫安
4.6
1.1
V
98%
4.0
R
DS （ ON）
1.0
V
GS （ TH）
3.6
0.9
3.2
典型值
0.8
2.8
0.7
2.4
2%
0.6
98%
2.0
0.5
0.4
典型值
1.6
1.2
0.3
0.8
0.2
0.1
0.0
-60
0.4
-20
20
60
100
C
160
0.0
-60
-20
20
60
100
C
160
T
j
T
j
典型值。电容
C
=
f
(V
DS
)
参数： V
GS
= 0V,
f
= 1MHz的
10
1
反向二极管的正向特性
I
F
=
(V
SD
)
参数：
T
j
, t
p
= 80 s
10
2
nF
C
A
I
F
10
0
10
1
C
国际空间站
10
-1
C
OSS
C
RSS
10
0
T
j
= 25°C （典型值）
T
j
= 150℃ （典型值）
T
j
= 25 C (98%)
T
j
= 150 C (98%)
10
-2
0
5
10
15
20
25
30
V
V
DS
40
10
-1
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.0
V
SD
修订版2.4
第7页
2009-11-10
