3N170

N沟道MOSFET

该3N170是一个增强型N沟道场效应管

该3N170是一个增强型N沟道场效应管

设计用作一个通用放大器或

开关

所述密封TO -72封装，非常适合

高可靠性和恶劣环境下的应用。

（见包装信息） 。

特点是什么？

DIRECTREPLACEMENTFORINTERSIL3N170

低漏源电阻

快速开关

绝对最大额定值

@25°C(unlessotherwisenoted)

r

DS （ ON） =

≤200Ω

t

D（上）

≤3.0ns

最高温度

储存温度

工作结温

3N170特点：

最大功率耗散

连续功率耗散

低导通电阻

最大电流

低电容

DraintoSource(Note1)

高增益

最大电压不

高栅极击穿电压

漏极至栅极

低阈值电压

漏极至源极

PeakGatetoSource(Note2)

3N170ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)

SYMBOL

特点】

MIN

（典型值） *

MAX`

单位“

BV

DSS

漏极至源极击穿电压

25

‐‐

‐‐

V

V

DS （ ON）

漏源“开”电压

‐‐

‐‐

2.0

V

GS （ TH）

门源阈值电压

1.0

‐‐

2.0

I

GSS

栅极泄漏电流

‐‐

‐‐

10

pA

I

DSS

漏极漏电流“关”

‐‐

‐‐

10

nA

I

D（上）

漏电流“开”

10

‐‐

‐‐

mA

g

fs

正向跨导

1000

‐‐

‐‐

S

r

DS （ ON）

漏源“开”电阻

‐‐

‐‐

200

Ω

‐65°Cto+150°C

‐55°Cto+135°C

300mW

30mA

±35V

25V

±35V

条件“

I

D

=10A,V

GS

=0V

I

D

=10mA,V

GS

=10V

V

DS

=10V,I

D

=10A

V

GS

=‐35V,V

DS

=0V

V

GS

=10V,V

DS

=10V

V

GS

=10V,V

DS

=10V

V

DS

=10V,I

D

=2mA,f=1kHz

V

GS

=10V,I

D

=0A,f=1kHz

C

RSS

反向传输电容

‐‐

‐‐

1.3

V

DS

=0V,V

GS

=0V,f=1MHz

pF

C

国际空间站

输入电容

‐‐

‐‐

5

V

DS

=10V,V

GS

=0V,f=1MHz

C

db

漏人体电容

‐‐

‐‐

5.0

V

DB

=10V,f=1MHz

开关特性

SYMBOL

特点】

MAX`

单位“

条件“

t

D（上）

导通延迟时间

3

ns

V

DD

=10V,I

D（上）

=10mA,V

GS （上）

=10V,V

GS （关闭）

=0V,R

G

=50Ω

t

r

开启上升时间

10

t

D（关闭）

关闭延迟时间

3

t

f

关闭下降时间

15

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可用的软件包：

3N170的TO- 72

3N170裸片。

TO- 72 （底视图）

注1 - 绝对最大额定值的限制值，超过该3N170适用性可能受到损害。

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*身体绑案

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