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CY14B256KA
图8. SRAM读周期2： CE和OE控制
[20, 21]
地址
地址有效
t
ACE
t
AA
t
LZCE
OE
t
LZOE
数据输出
高阻抗
t
PU
待机
活跃
输出数据有效
t
PD
t
美国能源部
t
HZOE
t
RC
t
HZCE
CE
I
CC
图9. SRAM写周期＃ 1 ：我们控制
[21, 22, 23]
t
WC
地址
地址有效
t
SCE
CE
t
AW
t
PWE
WE
t
SA
t
SD
数据输入
t
HZWE
数据输出
以前的数据
t
HD
输入数据有效
t
LZWE
高阻抗
t
HA
图10. SRAM写周期2： CE受控
[21, 22, 23]
t
WC
地址
t
SA
CE
t
PWE
WE
t
SD
数据输入
数据输出
输入数据有效
高阻抗
t
HD
地址有效
t
SCE
t
HA
记
20.我们必须为高电平期间SRAM读周期。
21. HSB必须在阅读居高不下，写周期。
22.如果WE为低时， CE变低时，输出保持在高阻抗状态。
23. CE或我们必须>V
IH
在地址转换。
文件编号： 001-55720修订版* C
第19页27
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