CEP16N10L/CEB16N10L
20
V
GS
=10,8,6,5V
20
25 C
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
15
V
GS
=4.0V
15
10
10
5
5
T
J
=125 C
-55 C
2.0
3.0
4.0
5.0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
1.0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.输出特性
800
700
西塞
2.2
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图2.传输特性
600
500
400
300
200
100
0
0
5
10
科斯
CRSS
15
20
25
R
DS （ON ） ，
归
R
DS （ ON）
，导通电阻（欧姆）
I
D
=7A
V
GS
=10V
C，电容（pF ）
-50
0
50
100
150
200
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图3.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
V
DS
=V
GS
T
J
，结温（ C）
图4.导通电阻变化
随温度
I
S
，源极 - 漏极电流（ A）
V
GS
=0V
10
1
V
TH
归一化
门源阈值电压
I
D
=250A
10
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
10
-1
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
T
J
，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
3
