飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP型高压晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
BF421
BF423
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BF421
BF423
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一个印刷电路板上。
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.晶体管安装在一个印刷电路板上。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
C
re
f
T
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
反馈电容
跃迁频率
条件
V
CB
=
200
V ;我
E
= 0 A
V
CB
=
200
V ;我
E
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0 A
V
CE
=
20
V ;我
C
=
25
mA
I
C
=
30
毫安;我
B
=
5
mA
V
CE
=
30
V ;我
C
= i
c
= 0 ; F = 1 MHz的
V
CE
=
10
V ;我
C
=
10
毫安; F = 100 MHz的
参数
从结点到环境的热阻
注1
条件
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
BF421 ; BF423
分钟。
65
65
马克斯。
300
250
300
250
5
50
100
50
830
+150
150
+150
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
价值
150
单位
K / W
分钟。
50
60
马克斯。
10
10
50
0.6
1.6
单位
nA
A
nA
V
pF
兆赫
2004年11月10日
3
