MMBT5088
MMBT5089
电气特性
（ TA = 25°C除非另有说明） （ Countinued ）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
VCE = 5.0V ， IC = 100μA
VCE = 5.0V ， IC = 1.0毫安
VCE = 5.0V ， IC = 10毫安
MMBT5088
MMBT5089
MMBT5088
MMBT5089
MMBT5088
MMBT5089
hFE(1)
hFE(2)
hFE(3)
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
300
400
350
450
300
400
-
900
1200
-
-
-
-
0.5
0.8
-
集电极 - 发射极饱和电压
IC = 100mA时IB = 1.0毫安
基射极饱和电压
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
V
-
V
小信号特性
电流增益带宽积
VCE = 5.0V ， IC = 500μA ， F = 20MHz的）
集电极 - 基极电容
VCB = 5.0V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的发射守卫
发射极 - 基极电容
VEB = 0.5V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的收藏家守卫
小信号电流增益
VCE = 5.0V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0千赫
噪声系数
VCE = 5.0V ， IC = 100 μA ， RS = 1.0K欧姆， F = 1.0kHz
fT
建行
CEB
50
-
-
-
4.0
10
兆赫
pF
pF
MMBT5088
MMBT5089
MMBT5088
MMBT5089
的hFE
350
450
-
1400
1800
3.0
2.0
-
NF
dB
R
S
i
n
~
e
n
理想
晶体管
图1.Transistor噪声模型
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/5
13-Jan-06
