MIC5190
在多数MOSFET的数据中指定的栅源阈值
张指的是需要充分提高了最低电压
在MOSFET 。虽然在大多数情况下，MOSFET将
在该线性区和V操作
GS
（栅极 - 源极
电压），将小于该全面增强V
GS
，它是
推荐V
CC
电压具有2V以上的最小
V
GS
和输出电压。这是由于在饱和电压
的MIC5190输出驱动。
V
CC1,2
≥
2V + V
GS
+ V
OUT
对于我们的例子中，有一个1.5V的输出电压，我们是MOSFET
在4.5V全面增强
GS
，所以我们的V
CC
电压应
大于或等于8V 。
输入电容
良好的输入旁路对于提高perfor-重要
曼斯。低ESR ，低ESL输入电容同时减少
所述N沟道MOSFET的漏极，以及源
阻抗的MIC5190 。当在负载瞬变
输出时，负载步骤也将出现在输入端。
V
IN
J1
+V
IN
330F
16V
10F
10F
10F
10
100k
U1
MIC2198-BML
J2
EN
CSH
10
100pF
10
V
OUT
10k
3
5
麦克雷尔
对输入电压的偏差会被降低
MIC5190的PSRR，但仍然出现在输出。
真的是没有最低输入电容，但它是
建议输入电容等于或
比输出电容以获得最佳性能更高。
输出电容
该MIC5190是稳定的任何类型或输出的值
电容器（即使没有任何输出电容器！）。这使得
输出电容选择该稳压的参数
荡器是非常重要的。的情况下的瞬态响应是
最重要的是，低ESR ，低ESL陶瓷电容器
推荐使用。另外，在输出端上的多电容，所述
更好的瞬态响应。
22F
12
11
1F
25V
6
2
VIN
EN / UVLO
CSH
HSD
VSW
IRF7821
L1
CSH
V
OUT
1.8H
CDEP134-1R8MC-H
10k
V
OUT
1V
OUT
@10A
10F
10F
0.1F
4
BST
10
V
OUT
MIC5190
VOUT
LSD
FB
COMP
GND
9
8
IRF7821
OUT
D1
SD103BWS
D2
1N5819HW
330F
钽
VIN
ISENSE
GND
2.2F
10V
VCC1
VCC2
FB
COMP
10nF
12.4k
100
1F
1
VDD
7
560pF
11.5k
8.06k
100
图9.邮政监管机构
2004年4月，
10
M9999-042804
