2N5401
PNP硅晶体管
描述
通用扩增fi er
高电压应用
引脚连接
E
特点
高集电极击穿电压：
V
CBO
= -160V, V
首席执行官
= -160V
低集电极饱和电压：
V
CE （ SAT ）
=-0.5V(MAX.)
互补配对2N5551
C
B
E
B
C
TO-92
订购信息
型号
2N5401
记号
2N5401
□
封装代码
TO-92
□
：新年&周典
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
(Ta=25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
-160
-160
-5
-600
625
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
KSD-T0A076-000
1
