CSD88537ND
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SLPS455 - 2014年1月
CSD88537ND ，双路60V的N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
CSD88537ND
1
特点
超低Q
g
和Q
gd
额定雪崩
无铅
符合RoHS
无卤
T
A
= 25°C
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
产品概述
典型的价值
60
14
2.3
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
3.0
15.0
12.5
单位
V
nC
nC
m
m
V
漏极至源极电压
栅极电荷总数（ 10 V ）
栅极电荷栅漏
漏极至源极导通电阻
阈值电压
2
应用
半桥式电机控制
同步降压转换器
订购信息
设备
CSD88537ND
CSD88537NDT
数量
2500
250
媒体
13英寸卷轴
7英寸的卷轴
包
SO- 8塑料
包
船
磁带和
REEL
描述
这双SO - 8 ， 60 V ， 12.5 mΩ的NexFET功率
MOSFET被设计用作低半桥
目前的电机控制应用。
顶视图
绝对最大额定值
T
A
= 25°C
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流（包装有限公司）
价值
60
±20
15
16
8.0
(2)
单位
V
V
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
D1
D1
D2
D2
I
D
连续漏电流（硅有限公司） ，
T
C
= 25°C
连续漏电流
(1)
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
功耗
(1)
A
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
62
2.1
-55到150
51
A
W
°C
mJ
工作结
存储温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 32 ，L = 0.1毫亨，R
G
= 25
.
R
DS （ ON）
VS V
GS
30
R
DS
(
on
)
- 通态电阻（mΩ ）
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 栅极 - 源极电压（V）
18
20
G001
（ 1 ）典型
θJA
= 60 ℃/上1英寸W
2
， 2盎司在0.06- Cu焊盘
英寸厚的FR4 PCB 。
（2）脉冲持续时间
≤
300
μs,
占空比
≤
2%
.
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
C
= 25 ° C，I
D
= 8A
T
C
≤ 125 ° C，I
D
= 8A
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
3
I
D
= 8A
V
DS
= 30V
栅极电荷
6
9
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
12
15
G001
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权所有 2014年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
