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A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
使系统能够读取从引导固件
闪速存储器。
如果RESET ＃是在一个程序断言或擦除操作
ATION ，设备需要时间t的
准备
（中
嵌入式算法）前的设备准备好
再次读取数据。如果RESET ＃是断言，当
编程或擦除操作不执行，复位
操作吨的时间内完成
准备
（不
在嵌入式算法） 。该系统可以读
数据T
RH
RESET ＃返回到V后
IH
.
请参考RESET＃ AC特性表
参数，并
图20中的“复位时序”
第47页
为时序图。
待机模式
当系统没有读取或写入设备，
它可以将器件置于待机模式。在这
模式下，电流消耗大大减少，并且
输出被置于高阻抗状态，不知疲倦
下垂的OE ＃输入。
该器件进入CMOS待机模式时，
CE ＃和RESET ＃输入都保持在V
CC
± 0.2 V.
该设备需要接入标准时间（t
CE
）的
读访问，它准备读出的数据之前。
如果设备被擦除或编程过程中取消选择
明，该器件消耗的有功电流，直到操作
化完毕。
I
CC3
在DC特性表代表
待机电流规格。
输出禁止模式
当OE ＃输入为V
IH
从设备输出是
禁用。的输出被放置在高阻抗
ANCE状态。
自动休眠模式
自动睡眠模式，最大限度地降低闪存器件
能量消耗。而在异步模式下，
设备会自动启用该模式时，
地址保持稳定吨
加
+ 60纳秒。该自动
马蒂奇睡眠模式是独立的，CE＃ ， WE＃ ，和
OE ＃控制信号。标准地址的访问时序
提供新数据时，地址被改变了。而
在睡眠模式下，输出数据被锁存，并始终可用
能的系统。而在同步模式中，
设备会自动启用该模式时，无论
吨后的第一个活动的CLK上升沿发生
加
或CLK
运行速度比5MHz的慢。需要注意的是一个新的脉冲串操作
化是必需的，以提供新的数据。
I
CC4
在
第35页上的“直流特性”一节
代表自动睡眠模式电流规范
化。
硬件数据保护
解锁周期的命令序列要求
进行编程或擦除提供数据保护
防止意外的写入（参见
表14 “的COM
命令第29页上的定义， “
指挥defini-
系统蒸发散） 。
该器件提供两种类型的数据保护处
行业层面：
■
该部门锁定/解锁命令序列显示
冷杉或重新启用这两个编程和擦除操作
系统蒸发散在任何行业。
■
当WP ＃为V
IL
，扇区0和1（底部引导）
或扇区132和133 （顶部引导）被锁定。
■
当ACC是V
IL
，所有部门都被锁定。
下面的硬件数据保护措施
防止意外擦除或编程，这
否则可能会被虚假的系统级引起的
在V信号
CC
上电和掉电跃迁
的，或者有来自系统的噪声。
写保护（ WP ＃ ）
写保护（ WP ＃ ）输入提供了硬件
保护数据，而无需使用V法
ID
.
如果系统断言V
IL
在WP ＃引脚，该装置
禁用程序，并在扇区0擦除功能，
1（底部引导）或扇区132及133（顶部引导） 。
如果系统断言V
IH
在WP ＃引脚，该装置
恢复到是否最外面的两个8K字节的引导
部门是最后一集被保护或不受保护的。
需要注意的是WP ＃引脚不能悬空
未连接;该设备的不一致的行为可能
结果。
RESET ＃ ：硬件复位输入
在RESET ＃输入提供的硬件方法
该装置复位到读出阵列的数据。当
RESET ＃被拉低了至少一个周期T
RP
中，
设备立即终止在任何操作
进步，所有的三态输出，复位配置
注册，并忽略所有的读/写命令
时间上的RESET ＃脉冲。该器件还重置
内部状态机读取阵列的数据。该
被中断，应重新开始操作
一旦该设备已准备好接受另一个命令
序列，以确保数据的完整性。
电流减小为的RESET ＃持续时间
脉搏。当RESET ＃保持在V
SS
± 0.2 V时，器件
平CMOS待机电流（I
CC4
） 。如果RESET ＃举行
在V
IL
但不是在V
SS
± 0.2 V ，待机电流
更大。
RESET ＃可连接到系统的复位电路。一
系统复位会也因此而复位闪存，
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Am29BDS640G
2002年10月31日
