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< HVIGBT模块>
CM1000E4C-66R
高功率开关使用
绝缘型
第四-版HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
性能曲线
半桥开关能量
特性（典型值）
7
6
V
CC
= 180 0V ，我
C
= 10 00A
V
GE
= ± 15 V，L
S
= 15 0nH
TJ = 12 5 ° C， INDU CTI已经LO广告
半桥开关能量
特性（典型值）
7
6
V
CC
= 180 0V ，我
C
= 10 00A
V
GE
= ± 15 V，L
S
= 15 0nH
TJ = 15 0 ℃， INDU CTI已经LO广告
能量转换[J /脉冲]
5
4
3
EOFF
能量转换[J /脉冲]
5
宙
宙
4
3
EO FF
2
1
0
0
5
10
15
20
EREC
2
1
0
0
5
10
15
20
ERE
栅极电阻[欧姆]
栅极电阻[欧姆]
半桥开关时间
特性（典型值）
100
V
CC
= 18 00 V, V
GE
= ± 15V
R
G（ ON）的
= 2.4, R
G（关闭）
= 8 .4
L
S
= 1 50N H， TJ = 1 25℃
在导电的升OA
半桥开关时间
特性（典型值）
100
V
CC
= 18 00 V, V
GE
= ± 15V
R
G（ ON）的
= 2.4, R
G（关闭）
= 8 .4
L
S
= 1 50N H， TJ = 1 50℃
在导电的升OA
10
10
TD （O FF ）
开关时间[微秒]
开关时间[微秒]
TD （O FF ）
1
tf
TD （上）
1
tr
TD （O N）
0.1
tr
0.1
tf
0.01
100
1000
10000
0.01
100
1000
10000
集电极电流[ A]
集电极电流[ A]
2012年12月
(HVM-1055-F)
6
