LTC1704/LTC1704B
应用S我FOR ATIO
栅极电荷
栅极电荷的电荷量（实际上，这个数字
电子的LTC1704需要投入的栅极）的
外部MOSFET ，以将其打开。最简单的方法
可视化栅极电荷是把它从一个电容
该MOSFET的栅极管脚为SW（ QT间期）或PGND （为
QB ） 。该电容是由MOSFET通道
电荷，实际的寄生漏 - 源电容和
米勒乘以栅极 - 漏极电容，但也可设计
proximated从门单一的电容来源。
无论在哪里的电荷会的，但事实仍然
它都有出来的PV
CC
开启MOSFET栅极
上，并且当MOSFET导通退避，即充
所有最终在地面上。在此期间，它穿过
该LTC1704的栅极驱动器，加热起来。更多的权力
输了！
在这种情况下，功率损失在小一口大小的块， 1
每循环开关块，以块的大小设置
由MOSFET的栅极电荷。每当MOSFET的
开关，另一个组块丢失。显然，更快的
时钟运行时，更重要的栅极电荷变成为
损失项。老式的切换，在20kHz的可以跑
几乎忽略栅极电荷为损耗项。在
550kHz的LTC1704 ，栅极电荷损耗可以是一个显著
效率损失。栅极电荷损耗可能是主要的
损耗项，中等负载电流，特别是具有大
的MOSFET。栅极电荷损耗也是主要原因
功率耗散的LTC1704本身。
TG电荷泵
有MOSFET驱动器LTC1704的另一个细微差别
需要得到解决。的LTC1704设计为使用
N沟道MOSFET为QT和QB ，主要是BE-
导致N沟道MOSFET一般成本较低，并有
低
DS （ ON）
比同类P沟道MOSFET 。车削
QB上是没有什么大不了的，因为QB的源连接到
保护地;该LTC1704只需切换之间的BG销
保护地和PV
CC
。驾驶QT是另一回事。源
的QT连接到SW它上升到V
IN
当QT是。
为了保持QT时， LTC1704必须得到TG一个MOSFET
V
GS （ ON）
上述V
IN
。它通过利用浮动驱动程序执行此
与连接到SW的驾驶员的负引线（该
来源QT ）和光伏
CC
铅司机现身
U
另外在提升。外部1μF电容（C
CP
)
连接SW和BOOST之间（图2 ）电源
权力，以提高当SW为高，本身充电
通过DCP当SW为低电平。这个简单的电荷泵
保持TG司机还活着，即使它波动远高于V
IN
.
自举电容器C的值
CP
需要是在
至少100倍的总输入电容的
顶侧MOSFET的（多个） 。对于非常大的外部MOSFET （或
并联） ，C多个MOSFET
CP
可能需要IN-
折痕超越1μF值。
输入电源
BiCMOS工艺，使LTC1704切换器
提供包括片上也限制了大量的MOSFET驱动器
最大输入电压为6V 。这限制了实际
最大输入电源松散稳压5V或6V轨。
在同一时间，在输入电源需要提供几
电流安培没有过多的电压降。输入
电源必须有足够的监管，以防止突然的
从使LTC1704输入电压到负载的变化
畅游。在最典型的应用中， LTC1704是
产生二次低压逻辑电源，所有的
这些输入条件，由主系统逻辑会见
当一个输入旁路电容强化供应。
输入旁路电容的选择
从5V逻辑电源运行的一个典型的LTC1704电路
可以提供1.6V为10A ，在其切换输出。 5V至
1.6V意味着32 ％的占空比，这意味着QT是上
32％的每个开关周期。在QT间的导通时间，该
电流从输入绘制等于负载电流和
该周期的其余时间内，从当前的抽
输入是接近零。这0A至10A ， 32 ％占空比脉冲
火车成果4.66A
RMS
纹波电流。在550kHz的，开关
荷兰国际集团去年的周期约1.8μs ;大多数系统逻辑电源
有没有希望调节输出电流与种
速度。本地输入旁路电容，都需要
补差价，防止输入电源
急剧下降时， QT踢上。该电容器是
通常选择为RMS纹波电流能力和ESR
和值。
考虑我们的10A的例子。输入旁路电容
被行使方式有三种：它的ESR必须足够低，
1704bfa
W
U
U
17
