ADP3207D
码成模拟参考电压。在启动时， DAC
忽略VID代码。内部DAC步骤通过各
从0V VID码到启动电压。 DAC的步骤，将
下一个VID代码每16
女士。
介于12.5 mV的区别
VID码，软启动的压摆率是12.5毫伏/ 16
ms
or
约0.78毫伏/ MS 。这给出了一个软启动时间
大约1.5毫秒。
DAC之后到达引导电压，内部100
ms
计时器启动。这就是百
ms
开机时间。之后，启动时间
结束后， CLKEN为低电平。该DAC然后读取
VID代码。有从引导电压至软转换
的VID电压。后CLKEN为低电平时，这些是
内置8毫秒定时器，断言PWRGD高。全
加电序列，包括软启动，示于
图26 。
在V
CC
UVLO或关机， PWM1 ， PWM2和
PWM3被拉低。当V
CC
斜上方的上部
UVLO阈值和EN为高电平时， ADP3207D
使内部偏置，并开始复位周期持续约
50
ms
60
女士。
接着，当最初的复位结束后，晶片检测
由用户设定的相位的数目，并给出一个去信号到
启动内部软启动。后CLKEN为低电平时，
在ADP3207D读通过在CPU中提供的VID代码
VID0到VID6输入引脚。从处理器的核心电压电压变化
V
BOOT
向中的VID电压通过良好控制的软
过渡，如在软暂态部分引入。
该PWRGD信号没有判定，直到有一个
t
CPU_PWRGD
延迟约8毫秒，它是固定的
内部由ADP3207D 。
如果任EN被拉低或V
CC
低于下侧的V
CC
UVLO阈值时， PWM1 ， PWM2和PWM3信号
停止开关。内部MOSFET放电输出
电压通过CSREF销。内部CSREF
MOSFET具有大约为100的电阻
W.
V5_S
减少由MLCC的输入而产生的噪音
电容器和电感器。
软瞬态特性内部实现。当
在ADP3207D检测到新的VID代码时， DAC步骤
通过每个VID代码，直到到达最终代码。对于
快速压摆率， ADP3207D步骤到下一个VID代码
每1
女士。
这给出了12.5毫伏/ ms的快速压摆率。对于
慢转换速率，所述ADP3207D步骤到下一个VID码
每4
女士。
这给出了3.125毫伏/ μs的压摆率。
随着DPRSLP置为高电平，慢压摆率功能。
随着DPRSLP低电平时，快速压摆率功能。
表2总结了软瞬时压摆率。
表2.软瞬态转换速度
VID瞬态
从深度睡眠模式快速退出
从深度睡眠缓慢退出
从V瞬态
BOOT
为VID
1. DNC =不在乎。
DPRSLP
低
高
DNC
（注1 ）
压摆率
12.5毫伏/ MS
3.125毫伏/ MS
$3.125
毫伏/ MS
电流限制
该ADP3207D的差分输出进行比较
电流检测放大器的一个可编程的电流限制
设定值提供电流限制功能。电流限制
设定点设定与从I相连接的电阻器
LIM
销到
CSCOMP引脚。这是R-
LIM
电阻器。在正常
操作时，在ILIM引脚上的电压等于CSREF
引脚。 R两端的电压
LIM
等于跨越的电压
电流检测放大器（从CSREF针到CSCOMP针） 。
此电压正比于输出电流。趋势/涌流
通过研究
LIM
正比于输出电感电流。
电流至R
LIM
与内部相比
参考电流。当R
LIM
目前的云上面
内部参考电流， ADP3207D进入电流
极限。电流限制电路示于图11 。
20
mA
六， CONV
+
I
LIM
I
LIM
+
EN
V
BOOT
t
软启动
CLA
V
HID
ILIM
CSA
+
CSREF
CSSUM
VCORE
t
BOOT
CSCOMP
CLKEN
R
CS
C
CS
t
PWRGD延时
PWRGD
R
PH
L
DCR
C
体积
图27.电流限制电路
图26.上电检测程序
软瞬态
该ADP3207D提供柔软的瞬态功能
减少浪涌电流时的各种转变，包括
更深的睡眠的入口/出口和从过渡
V
BOOT
为VID电压。减小冲击电流，有助于
在启动过程中，当输出电压低于200 mV时，一
二次电流限制被激活。这是必要的，因为
在CSCOMP的电压摆幅不能扩展地下。
次级电流限制电路钳位内部COMP
电压，并设置内部补偿斜坡终止
电压为1.5 V电平。钳位实际上限制电压降
跨越过电流平衡的低边MOSFET
电路。
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