25AA040/25LC040/25C040
3.5
读状态寄存器（ RDSR ）
3.6
写状态寄存器（ WRSR ）
该
RDSR
指令可访问状态
注册。状态寄存器可以随时读取，
即使在一个写周期。状态寄存器是
格式如下：
7
X
6
X
5
X
4
X
3
BP1
2
BP0
1
WEL
0
WIP
该
WRSR
指令允许用户选择其中一个
四个级别保护为阵列的通过写
相应的位在状态寄存器。该阵列是
分为4个段。用户有能力
写保护无，一个，两个或四个的
阵列的段。分区被控制为
在表3-2中示出。
参见图3-7
WRSR
时序。
该
写在制品（WIP ）
位指示是否
25xx040正忙于写操作。当设置为
‘
1
'中，写入过程中，当设定为'
0
“ ，没有写是
进行中。该位是只读的。
该
写使能锁存器（ WEL ）
位指示状态
写使能锁存器。当设置为“
1
'时，锁存
允许写入到阵列中，当设置为“
0
'时，锁存
禁止写入阵列。该位的状态可以
总是通过WREN或WRDI命令更新
不管写保护的状态
状态寄存器。该位是只读的。
该
块保护（ BP0和BP1 ）
位指示
哪些块当前写保护。这些位
由用户发出的设置
WRSR
指令。这些
位是非易失性的。
参见图3-6
RDSR
时序。
表3-2：
BP1
保护阵列
BP0
数组地址
写保护
无
上部1/4
(0180h-01FFh)
上部1/2
(0100h-01FFh)
所有
(0000h-01FFh)
0
0
1
1
0
1
0
1
图3-6：
读状态寄存器序列
CS
0
SCK
指令
SI
0
0
0
0
0
1
0
1
从状态寄存器的数据
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
高阻抗
SO
图3-7：
写状态寄存器序列
CS
0
SCK
指令
SI
0
0
0
0
0
0
0
1
7
6
数据状态寄存器
5
4
3
2
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
高阻抗
SO
DS21204E第10页
2006年Microchip的科技公司
