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BR24L □□ -W系列, BR24S □□□ -W系列
技术说明
-I / O
外围电路
○拉
达SDA终端电阻
SDA是NMOS开漏输出,因此需要上拉电阻。作为该电阻值(R
PU
) ,选择一个适当的值
从微控制器V这个电阻值
IL
, I
L
和V
OL
-I
OL
该IC的特性。若R
PU
大,动作频率为
有限的。较小的第r
PU
,较大的消耗电流在动作。
=最大
的R值
PU
R的最大值
PU
由以下因素决定的。
(1) ,SDA上升时间由R的总线线路的电容( CBUS )来确定
PU
和SDA应TR或以下。
和AC时间应满足即使SDA的上升时间不早了。
(2)总线电位
通过输入泄漏总量(我确定
L
)连接到'H'的总线输出到SDA设备
A
公交车和R
PU
应充分保证了输入“H”电平(V
IH
),微控制器和EEPROM ,包括推荐
噪声容限0.2Vcc 。
微控制器
BR24SXX
VCC - 我
L
R
PU
- 0.2Vcc
V
IH
0.8V
CC
- V
IH
R
PU
I
L
例)当VCC = 3V ,我
L
= 10μA ,V
IH
= 0.7Vcc
from(2)
0.8×3 - 0.7×3
R
PU
-6
10×10
300
[k½
●最小
的R值
PU
R的最小值
PU
由以下因素决定的。
( 1 )当IC输出低电平,应该纳V
OLmax
=0.4V
OLmax
=3mA.
V
CC
- V
OL
I
OL
R
PU
R
PU
V
CC
- V
OL
I
OL
公交线路
容量
CBUS
图49的I / O电路原理图
(2)V
OLmax
= 0.4V应确保输入“L”电平(V
IL
),微控制器和EEPROM包括推荐的噪声容限0.1Vcc的。
V
OLmax
V
IL
-0.1 Vcc的
例)当VCC = 3V ,V
OL
0.4V ,我
OL
= 3mA电流,微控制器, EEPROM V
IL
=0.3Vcc
from(1),
3-0.4
R
PU
3×10
V
OL
=0.4[V½
V
IL
=0.3×3
=0.9[V½
因此,条件(2 )成立。
○拉
达SCL端子的电阻
当SCL控制是由在CMOS输出端口,没有必要的,但在万一有时序当SCL变
“高阻” ,添加一个上拉电阻。至于上拉电阻,几kΩ的1 几十kΩ的,建议在
考虑到单片机的输出端口的驱动器的性能。
●A0,
A1,A2, WP过程
○过程
的设备地址端( A0,A1, A2)的
检查设置的设备地址是否与主机侧或不发送设备地址输入相一致,并选择
1连接到同一总线的多个设备之间。端连接上拉或下拉,或VCC或GND 。而且,
销(不要使用PIN),不被用作器件地址可以被设置为任何“H” , “L”和“高阻”的。
同类型不使用PIN
BR24S08F/FJ/FV/FVT/FVM/FVJ/NUX-W
A0, A1
BR24S16F/FJ/FV/FVT/FVM/FVJ/NUX-W
A0, A1, A2
○过程
WP终端
WP终端是禁止和允许写硬件方式的终端。在“H”状态,只能读取信息,并将
禁止所有地址的写操作。中的“L”的情况下,两者都可用。在使用它作为ROM的情况下,它是
建议将其连接上拉或VCC 。在使用读取和写入,控制WP终端或连接的情况下,
它拉下来或GND 。
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