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BR24L □□ -W系列， BR24S □□□ -W系列
技术说明
-I / O
外围电路
○拉
达SDA终端电阻
SDA是NMOS开漏输出，因此需要上拉电阻。作为该电阻值（R
PU
） ，选择一个适当的值
从微控制器V这个电阻值
IL
, I
L
和V
OL
-I
OL
该IC的特性。若R
PU
大，动作频率为
有限的。较小的第r
PU
，较大的消耗电流在动作。
=最大
的R值
PU
R的最大值
PU
由以下因素决定的。
（1） ，SDA上升时间由R的总线线路的电容（ CBUS ）来确定
PU
和SDA应TR或以下。
和AC时间应满足即使SDA的上升时间不早了。
A
（2）总线电位
○
通过输入泄漏总量（我确定
L
）连接到总线为' H'的输出设备
SDA总线和R
PU
应充分保证了输入“H”电平（V
IH
），微控制器和EEPROM ，包括
推荐的噪声容限0.2Vcc 。
微控制器
V
CC
- I
L
R
PU
- 0.2Vcc
≧
V
IH
∴
R
PU
＝
0.8Vcc-V
IH
I
L
R
PU
BR24LXX
恩。 ）当V
CC
= 3V ，我
L
= 10μA ，V
IH
=0.7 V
CC
,
从（2）
R
PU
0.8×3-0.7×3
≦
10×10
-6
≦
300 [k]
A
IL
SDA端子
IL
公交线路
容量
CBUS
图52的I / O电路原理图
●最小
的R值
PU
R的最小值
PU
由以下因素决定的。
（ 1 ）当IC输出低电平，应该纳V
OLmax
= 0.4V和我
OLmax
=3mA.
V
CC
-V
OL
≦
I
OL
R
PU
∴
R
PU
≦
V
C
-V
OL
I
OL
(2)V
OLmax
= 0.4V应确保输入“L”电平（V
IL
），微控制器和EEPROM包括推荐的噪声容限0.1Vcc的。
V
OLmax
≦
V
IL
-0.1 V
CC
恩。 ）当V
CC
=3V, V
OL
= 0.4V ，我
OL
= 3mA电流，微控制器， EEPROM V
IL
=0.3V
CC
从（1）
3-0.4
R
PU
≧
3×10
-3
≧
和
V
OL
= 0.4 [V]
V
IL
= 0.3×3
= 0.9 [V]
因此，条件（2 ）成立。
○拉
达SCL端子的电阻
当SCL控制是由在CMOS输出端口，没有必要的，但在万一有时序当SCL变
“高阻” ，添加一个上拉电阻。至于上拉电阻，几kΩ的1 几十kΩ的，建议在
考虑到单片机的输出端口的驱动器的性能。
●A0,
A1，A2， WP过程
○过程
的设备地址端（ A0，A1， A2）的
检查设置的设备地址是否与主机侧或不发送设备地址输入相一致，并选择
1连接到同一总线的多个设备之间。端连接上拉或下拉，或VCC或GND 。而且，
销（ N，C， PIN）不被用作器件地址可以被设置为任何“H” ， “L”和“高阻”的。
与N.C.PIN类型
BR24L16/F/FJ/FV/FVT/FVM/FVJ-W
A0, A1, A2
BR24L08/F/FJ/FV/FVT/FVM/FVJ/NUX-W
A0, A1
BR24L04/F/FJ/FV/FVT/FVM/FVJ/NUX-W
A0
○过程
WP终端
WP终端是禁止和允许写硬件方式的终端。在“H”状态，只能读取信息，并将
禁止所有地址的写操作。中的“L”的情况下，两者都可用。在使用它作为ROM的情况下，它是
建议将其连接上拉或VCC 。在使用读取和写入，控制WP终端或连接的情况下，
它拉下来或GND 。
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