高输出驱动，高精度，低功耗，单
电源，轨到轨输入/输出运算放大器，带有关断
应用信息
警告：由于高输出电流驱动，这款运算
放大器可以超过绝对最大功率耗散
而不能使评级。
作为一般规则，只要峰值电流
租金低于或等于80mA的电流，最大包
功耗也不会超过任何的
封装类型提供。也有一些例外情况
但是统治。绝对最大功率耗散
每个包的等级应该总是使用验证
下面的等式。下面的等式给出了一个
封装功耗近似：
P
IC
(
DISS
)
V
RMS
I
RMS
COS
θ
其中：V
RMS
=从V的电压有效值
CC
到V
OUT
在输出电流时
=从V的电压有效值
OUT
到V
EE
吸收电流时，
I
RMS
= RMS电流流出或进入
运算放大器和负载
θ
=之间的相位差
电压和电流。对于阻
负载， COS
θ
= 1.
例如，在图1电路中有一个包
157mW的功率耗散。
V
V
RMS
V
CC
V
DC
PEAK
2
1.5V
=
6.5V
3.25V
=
2.189V
RMS
2
I
3.25V
1.5V / 60
I
RMS
I
DC
+
PEAK
=
+
60
2
2
图1的电路示例，其中MAX4165 / MAX4166是
被用于单电源供电
6.5V
MAX4165–MAX4169
6.5V
封装功耗
R
C
V
IN
= 3VP -P
R
MAX4165
MAX4166
60
R
C
V
IN
= 3VP -P
R
MAX4165
MAX4166
C
C
(
)
60
C
C
= 1
2π R
L
f
L
=
71.84mA
RMS
因此，P
IC （ DISS ）
= V
RMS
I
RMS
COS
θ
= 157mW
增加一个耦合电容可以改善封装
功率消耗，因为没有到没有DC电流
的负载，如示于图2 。
V
RMS
V
CC
V
DC
=
6.5V
3.25V
图2的电路例子增加一个耦合
电容大大降低了其的功耗
包
(
)
V
PEAK
2
1.5V
2
=
2.189V
RMS
I
1.5V / 60
I
RMS
I
DC
+
PEAK
=
0A
+
2
2
=
17.67mA
RMS
因此，P
IC （ DISS ）
= V
RMS
I
RMS
COS
θ
= 38.6mW
这绝对最大功率耗散额定值
如果在配置将超出包
图1是与所有四个MAX4169ESD的使用
放大器在+ 75 ℃的高环境温度下
的（ 157mW ×4 =功放+ 628mW降额
8.33mW / ℃， ×5 ° C = 669mW ） 。需要注意的是669mW刚
超过绝对最大功率耗散
667mW的14引脚SO封装（见
绝对
最大额定值
部分） 。
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